[发明专利]一种QLED器件及其反向电压驱动模式在审
| 申请号： | 201710369345.8 | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN108962129A | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 向超宇;李乐;钱磊;杨一行;曹蔚然 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G09G3/32 | 分类号： | G09G3/32 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 反向电压 驱动模式 反向电压信号 反向驱动信号 势阱 器件寿命 驱动周期 电荷 发射 势垒 | ||
1.一种QLED器件的反向电压驱动模式，其特征在于，在每个驱动周期内，当QLED器件不工作时，向所述QLED器件发射至少一个反向驱动信号，所述反向驱动信号为反向电压信号。
2.根据权利要求1所述的QLED器件的反向电压驱动模式，其特征在于，所述驱动周期内还设置有空置驱动信号，在驱动QLED器件工作的正向驱动信号结束后或者空置驱动信号结束后立即向QLED器件发射所述反向驱动信号。
3.根据权利要求2所述的QLED器件的反向电压驱动模式，其特征在于，所述正向驱动信号为任意波形的电压信号或电流信号。
4.根据权利要求1或2所述的QLED器件的反向电压驱动模式，其特征在于，所述反向驱动信号的波形为方波、三角波、斜波、正弦波中的至少一种。
5.根据权利要求1或2所述的QLED器件的反向电压驱动模式，其特征在于，所述反向电压信号的最大值小于QLED器件的击穿电压。
6.根据权利要求1所述的QLED器件的反向电压驱动模式，其特征在于，每个驱动周期内，所有反向驱动信号的持续时间之和占每个驱动周期的时间百分比为1%～99%。
7.根据权利要求2所述的QLED器件的反向电压驱动模式，其特征在于，每个驱动周期内，所述空置驱动信号的持续时间占每个驱动周期的时间百分比为1%～99%。
8.根据权利要求1所述的QLED器件的反向电压驱动模式，其特征在于，所述反向驱动信号的频率大于60Hz。
9.根据权利要求1所述的QLED器件的反向电压驱动模式，其特征在于，所述反向电压信号的幅值为-0.1V～-10V。
10.一种QLED器件，其至少包括依次叠层设置的底电极、发光层和顶电极，所述底电极和顶电极之间连接一驱动电路，其特征在于，所述驱动电路的工作模式为如权利要求1-9任意一项所述的反向电压驱动模式。
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