[发明专利]可变电阻装置、物理性不可复制功能电路与控制方法

权利要求书

1.一种物理性不可复制功能电路，其特征在于，包括：

一控制装置，包括一能量产生电路与一控制器；以及

一第一磁阻式可变电阻电路阵列，耦接该控制装置，且该第一磁阻式可变电阻电路阵列包括多个磁阻式可变电阻电路，每一个所述磁阻式可变电阻电路包括一磁穿隧接面元件；

其中，该控制装置将所述磁穿隧接面元件初始化至一电阻状态后，该控制装置提供一第一能量至所述磁穿隧接面元件，且该控制装置判断具有一预定电阻状态的所述磁穿隧接面元件的一汉明权重是否在一预定数值范围内，其中该汉明权重等于具有所述预定电阻状态的所述磁穿隧接面元件的数量除以磁穿隧接面元件的总数量。

2.根据权利要求1所述的物理性不可复制功能电路，其特征在于，若该汉明权重在该预定数值范围内，则该控制装置停止提供该第一能量至所述磁穿隧接面元件。

3.根据权利要求1所述的物理性不可复制功能电路，其特征在于，若该汉明权重不在该预定数值范围内，则该控制装置提供一第二能量至所述磁穿隧接面元件。

4.根据权利要求1所述的物理性不可复制功能电路，其特征在于，该第一能量包括维持一既定时间的一磁场；

其中，该磁场的方向与所述磁穿隧接面元件的至少一个磁穿隧接面元件的易磁化轴的方向平行。

5.根据权利要求1所述的物理性不可复制功能电路，其特征在于，该第一能量包括一磁场与分别施加于所述磁穿隧接面元件的一电压。

6.根据权利要求1或5所述的物理性不可复制功能电路，其特征在于，所述多个磁阻式可变电阻电路为自旋轨道记忆体单元，且每一个所述磁穿隧接面元件各自连接一金属导线；

其中，该第一能量包括流经该金属导线的一电流。

7.根据权利要求1所述的物理性不可复制功能电路，其特征在于，所述多个磁阻式可变电阻电路为自旋轨道记忆体单元，且每一个所述磁穿隧接面元件各自连接一金属导线；

其中，该第一能量包括一磁场、分别施加于所述磁穿隧接面元件的一电压与流经该金属导线的一电流的至少其中之二。

8.一种磁阻式可变电阻装置，其特征在于，包括：

如权利要求1所述的物理性不可复制功能电路；以及

一第二磁阻式可变电阻电路阵列，包括该第一磁阻式可变电阻电路阵列以及一磁阻式随机存取记忆体单元阵列。

9.一种物理性不可复制功能电路的控制方法，其特征在于，包括：

将多个磁阻式可变电阻电路的磁穿隧接面元件初始化至一电阻状态后，施加一第一能量至所述磁穿隧接面元件；以及

判断具有一预定电阻状态的所述磁穿隧接面元件的一汉明权重是否在一预定数值范围内，其中该汉明权重等于具有所述预定电阻状态的所述磁穿隧接面元件的数量除以磁穿隧接面元件的总数量。

10.根据权利要求9所述的物理性不可复制功能电路的控制方法，其特征在于，还包括：

若该汉明权重在该预定数值范围内，则停止施加该第一能量至所述磁穿隧接面元件；以及

若该汉明权重不在该预定数值范围内，则施加一第二能量至所述磁穿隧接面元件。

11.根据权利要求9所述的物理性不可复制功能电路的控制方法，其特征在于，该第一能量包括维持一既定时间的一磁场；

其中，该磁场的方向与所述磁穿隧接面元件的至少一个磁穿隧接面元件的易磁化轴的方向平行。

12.根据权利要求9所述的物理性不可复制功能电路的控制方法，其特征在于，所述多个磁阻式可变电阻电路为自旋轨道记忆体单元，且每一个所述磁穿隧接面元件各自连接一金属导线；

其中，该第一能量包括流经该金属导线的一电流。