[发明专利]CMOS输出电路

说明书

一种CMOS输出电路，具有：第1PMOSFET；第1NMOSEFET；第1电位切换部，对将第1电位端与电源端连接或与输出端连接进行切换；第2电位切换部，对将第2电位端与接地端连接或与输出端连接进行切换；第1栅极切换部，对是否使第1PMOSFET的栅极与第1电位端短路进行切换；第2栅极切换部，对是否使第1NMOSFET的栅极与第2电位端短路进行切换；第1驱动器，根据第1输入信号来进行第1PMOSFET的栅极驱动；第2驱动器，根据第2输入信号来进行第1NMOSFET的栅极驱动；以及控制部，控制电路各部，在使第1PMOSFET与第1NMOSFET双方断开时，将第1电位端与电源端和输出端中电位高的一方连接，将第2电位端与接地端和输出端中电位低的一方连接，使第1PMOSFET的栅极与第1电位端短路，使第1NMOSFET的栅极与第2电位端短路。

技术领域

本发明涉及CMOS(complementary metal oxide semiconductor，互补金属氧化物半导体)输出电路。

背景技术

图14是表示CMOS输出电路的一现有例子的电路图。本现有例子的CMOS输出电路Z具有在电源端(VCC)与接地端(GND)之间串联连接的P沟道型MOS电场效应晶体管M1及N沟道型MOS电场效应晶体管M2，根据各自的接通/断开状态,来对在相互之间的连接节点出现的输出电压VOUT进行驱动。

例如，在接通晶体管M1并断开晶体管M2时，输出电压VOUT变为高电平(≈VCC)。另外，在断开晶体管M1并接通晶体管M2时，输出电压VOUT变为低电平(≈GND)。另外，在晶体管M1及M2均断开时，CMOS输出电路Z变为输出高阻抗状态。

此外，作为与本发明相关联的现有技术(反向电流防止技术)的一例，可以举出日本特开2006-228027号公报。

另外，在半导体装置中集成化的晶体管M1及M2中，分别附带有图示的体二极管BD1及BD2。另外，在现有的CMOS输出电路Z中，晶体管M1的背栅被连接至电源端，晶体管M2的背栅被连接至接地端。

因此，在体二极管BD1或者BD2变为正向偏压的动作条件下(例如，VCC＜VOUT或者VOUT＜GND)，即使将晶体管M1及M2都断开，经由体二极管BD1或者BD2仍可能产生不希望的输出电流IOUT(例如数mA)(参照图中的一点划线及二点划线)。

发明内容

本说明书中公开的发明鉴于本申请的发明者发现的上述课题，其目的在于提供一种可以防止或抑制不希望的输出电流的CMOS输出电路。

因此，本说明书中公开的CMOS输出电路的结构具有：第1PMOSFET，其源极连接至电源端，漏极连接至输出端，背栅连接至第1电位端；第1NMOSFET，其漏极连接至所述输出端，源极连接至接地端，背栅连接至第2电位端；第1电位切换部，其对将所述第1电位端连接至所述电源端或者连接至所述输出端进行切换；第2电位切换部，其对将所述第2电位端连接至所述接地端或者连接至所述输出端进行切换；第1栅极切换部，其对是否将所述第1PMOSFET的栅极与所述第1电位端短路进行切换；第2栅极切换部，其对是否将所述第1NMOSFET的栅极与所述第2电位端短路进行切换；第1驱动器，其根据第1输入信号来进行所述第1PMOSFET的栅极驱动；第2驱动器，其根据第2输入信号来进行所述第1NMOSFET的栅极驱动；以及控制部，其控制电路各部，以便在将所述第1PMOSFET与所述第1NMOSFET双方断开时，将所述第1电位端与所述电源端和所述输出端之中电位高的一方相连接，将所述第2电位端与所述接地端和所述输出端之中电位低的一方相连接，将所述第1PMOSFET的栅极与所述第1电位端短路，将所述第1NMOSFET的栅极与所述第2电位端短路。

此外，本发明的其他特征、要素、步骤、优点以及特性，通过后续的最优方式的详细说明和与其相关的附图，变得更加清楚。

附图说明

图1是表示CMOS输出电路的整体结构的框图。