[发明专利]一种具有高增益特性的推挽放大器有效
| 申请号： | 201710363961.2 | 申请日： | 2017-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN107196612B | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 周泽坤;张家豪;曹建文;汪尧;石跃;王卓;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03F1/48 | 分类号： | H03F1/48;H03F3/21;H03F3/30;H03F3/45 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 增益 特性 放大器 | ||
1.一种具有高增益特性的推挽放大器；其特征在于，包括第一PMOS管M2、第二PMOS管M3、第三PMOS管M4、第四PMOS管M5、第五PMOS管M6、第一NMOS管M1、第二NMOS管M7、第三NMOS管M8、第四NMOS管M9、第五NMOS管M10、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、电容和电阻；其中，
第一三极管Q1的基极为放大器的反相输入端，第一三极管Q1的集电极接第一PMOS管M2的漏极，第一三极管Q1的发射极接第一NMOS管M1的漏极；第二三极管Q2的基极为放大器的同相输入端，集电极接第二PMOS管M3的漏极，第二三极管Q2的发射极接第一NMOS管M1的漏极；第一NMOS管M1的栅极接Vbias1，第一NMOS管M1的源极接地；
第一PMOS管M2的源极接电源，其栅极接Vbias2；第四PMOS管M5的源极接第一PMOS管M2的漏极，第四PMOS管M5的栅极接Vb3；第二NMOS管M7的漏极接第四PMOS管M5的源极，第二NMOS管M7的栅极与漏极互连，第二NMOS管M7的源极接地；
第三PMOS管M4的源极接电源，其栅极接Vbias2；第五PMOS管M6的源极接第二PMOS管M3的漏极，第五PMOS管M6的栅极接Vb3；第三NMOS管M8的漏极接第五PMOS管M6的漏极，第三NMOS管M8的栅极接第四PMOS管M5的漏极，第三NMOS管M8的源极接地；
第四NMOS管M9的漏极接第三PMOS管M4的漏极，第四NMOS管M9的栅极接第五PMOS管M6的漏极，第四NMOS管M9的源极接地；
第三三极管Q3的集电极接电源，其基极接第三PMOS管M4的漏极，第三三极管Q3的发射极接第五NMOS管M10的漏极；第五NMOS管M10的栅极接第五PMOS管M6的漏极，第五NMOS管M10的源极接地；
第五PMOS管M6漏极与第三NMOS管M8漏极的连接点依次通过电容和电阻后接第三三极管Q3发射极与第五NMOS管M10漏极的连接点；
第三三极管Q3发射极、第五NMOS管M10漏极和电阻的共同连接点为放大器的输出端。
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