[发明专利]一种阵列基板及其制备方法

说明书

本发明公开了一种阵列基板及其制备方法。该制备方法包括在一阵列基板上形成数据线、石墨烯源极以及栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成扫描线和栅极；在所述数据线、扫描线和栅极上形成钝化层，并对所述石墨烯源极进行离子注入，以将部分所述石墨烯源极转换为半导体有源层；在所述半导体有源层及所述钝化层上分别形成漏极和ITO像素电极。通过上述方式，利用石墨烯制备石墨烯源极以及半导体有源层，能够利用石墨烯高导电率的特性，提高阵列基板中导电效率。

技术领域

本发明涉及半导体显示技术领域，具体而言涉及一种阵列基板及其制备方法。

背景技术

随着半导体显示技术的不断发展，显示面板对其阵列基板上的电极线以及薄膜晶体管的电极的导电性能的要求越来越高。特别是在高分辨率的产品中，为了增加开口率，需要在保证导电性能的基础上减小电极线的线宽；在大尺寸的产品中，为了保证画面的刷新频率，需要降低电极线的电阻。

现有技术中，通常采用金属铜或金属铝等金属作为制备阵列基板中的电极线和薄膜晶体管中的电极，容易做到低线宽、低功耗和高的导电率，进而可以提升显示面板的显示效果。但由于铜原子很容易在膜间发生扩散，因此用金属铜等作为电极线和电极时，铜原子会扩散到薄膜晶体管的有源层，从而影响薄膜晶体管的性能。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种阵列基板及其制备方法，该制备方法能够提高阵列基板中导电效率，提高显示效果。

为解决上述技术问题，本发明提出的一个技术方案是：提供一种阵列基板的制备方法，该制备方法包括：

在一阵列基板上形成数据线、石墨烯源极以及栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成扫描线和栅极；

在所述数据线、扫描线和栅极上形成钝化层，并对所述石墨烯源极进行离子注入，以将部分所述石墨烯源极转换为半导体有源层；

在所述半导体有源层及所述钝化层上分别形成漏极和ITO像素电极。

其中，所述栅极为围绕所述石墨烯源极的环形栅极。

其中，所述在一阵列基板上形成数据线、石墨烯源极以及栅极绝缘层，包括：

在所述阵列基板上沉积栅极绝缘层，并覆盖第一光阻；

利用第一道光罩对所述栅极绝缘层和第一光阻进行图案化处理，形成图案化的栅极绝缘层和剩余的第二光阻，所述第二光阻覆盖所述栅极绝缘层；

在所述阵列基板上沉积石墨烯材料，并去除所述第二光阻，以在所述栅极绝缘层的图案化区域内形成所述石墨烯数据线和所述石墨烯源极。

其中，所述在所述栅极绝缘层上形成扫描线和栅极，包括：

在所述石墨烯数据线、石墨烯源极和栅极绝缘层上覆盖第三光阻；

利用第二道光罩对所述第三光阻进行曝光，暴露出部分所述栅极绝缘层；

对暴露出的所述栅极绝缘层进行刻蚀，形成用于制备扫描线和栅极的第一沟道；

在所述阵列基板上沉积金属层，并去除所述第三光阻，在所述第一沟道内形成所述扫描线和所述栅极；

其中，用于所述扫描线包括分别位于所述石墨烯数据线两侧的第一部分扫描线和第二部分扫描线。

其中，所述在所述石墨烯数据线、扫描线和栅极上形成钝化层，包括：

在所述阵列基板上沉积钝化层，所述钝化层覆盖所述石墨烯数据线、石墨烯源极、扫描线和栅极，并在所述钝化层上覆盖第四光阻；