[发明专利]脊状型LED

权利要求书

1.一种脊状型LED，其特征在于，包括：SOI衬底(101)、改性Ge层(102)、本征Ge层(103)、钝化层(104)、N型Ge区域(105)和P型Ge区域(106)，所述改性Ge层(102)、所述本征Ge层(103)及所述钝化层(104)依次层叠于所述SOI衬底(101)上；所述改性Ge层(102)是在所述SOI衬底(101)生长Ge外延层、氧化层之后，通过对整个衬底材料进行LRC工艺晶化处理，并刻蚀氧化层后形成的，其中，LRC工艺中激光波长为808nm，激光光斑尺寸10mm×1mm，激光功率为1.5kW/cm²，激光移动速度为25mm/s，所述N型Ge区域(105)及所述P型Ge区域(106)分布在所述改性Ge层(102)和所述本征Ge层(103)的两侧。

2.如权利要求1所述的LED，其特征在于，所述N型Ge区域(105)及所述P型Ge区域(106)是通过对所述改性Ge层(102)和所述本征Ge层(103)进行离子注入形成的。

3.如权利要求2所述的LED，其特征在于，还包括负电极(107)及正电极(108)，所述负电极(107)连接所述N型Ge区域(105)，所述正电极(108)连接所述P型Ge区域(106)。

4.如权利要求3所述的LED，其特征在于，所述负电极(107)及所述正电极(108)的材料均为Cr-Au合金。

5.如权利要求1所述的LED，其特征在于，所述本征Ge层(103)的厚度为500～550nm。

6.如权利要求5所述的LED，其特征在于，所述本征Ge层(103)为脊型结构，脊型部分厚度为350nm，宽度为1μm。

7.如权利要求1所述的LED，其特征在于，所述P型Ge区域(106)的掺杂浓度为1×10¹⁹cm^-3。

8.如权利要求1所述的LED，其特征在于，所述N型Ge区域(105)的掺杂浓度为1×10¹⁹cm^-3。