[发明专利]多孔质陶瓷结构体及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及多孔质陶瓷结构体，并涉及适合于实现含有该多孔质陶瓷结构体的构成部件的低热传导率化的多孔质陶瓷结构体及其制造方法。

背景技术

作为填充到隔热件、膜等中的填料，有专利文献1～3中记载的组合物、中空粒子等。

专利文献1中记载有能够形成热传导率低的多孔质有机聚硅氧烷固化物的固化性有机聚硅氧烷组合物。

专利文献2中记载有使用采用了低热传导率的中空粒子的涂料来形成低热传导率的膜的内容。

专利文献3中记载有如下内容：通过静电相互作用使添加物粒子吸附于基料粒子表面，由此制造纳米涂覆而得到的复合粒子，进而使用该复合粒子经由通常的粉末冶金工艺来制造复合材料。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-155946号公报

专利文献2：日本特开2004-10903号公报

专利文献3：日本特开2010-64945号公报

发明内容

对于专利文献1及2中记载的技术，低热传导率化不充分。对于专利文献3中记载的技术，由于打算通过粉末冶金来制作复合材料，所以需要在基料粒子上涂覆粒径为纳米级的微粒。因此，基料粒子间的距离变短，这种情况下，低热传导率化仍旧不充分。

如果添加到粘结剂中的粒子较小，则难以使粒子均匀地分散在粘结剂中。另外，由于需要在对预先添加有粒子的粘结剂进行烧成而制成块体后设置在例如对象物上，所以很难设置在对象物的一部分区域或者沿着复杂的形状进行设置。

本发明是考虑以上课题而进行实施的，目的是提供一种多孔质陶瓷结构体及其制造方法，该多孔质陶瓷结构体能够实现低热传导率化，并且，能够使用粘结剂等而直接设置于对象物等，且能够使块体的设置变得容易。

[1]第一发明所涉及的多孔质陶瓷结构体的特征在于，包括：1个片材和粘着在所述片材上的多孔质陶瓷集合体，所述多孔质陶瓷集合体具有多个多孔质陶瓷粒子。

[2]第一发明中，优选，所述多孔质陶瓷集合体为待设置在对象物上的部件，从上表面观察所述多孔质陶瓷集合体而得到的平面形状与从上表面观察所述对象物中待设置所述多孔质陶瓷集合体的区域而得到的平面形状相同。

[3]第一发明中，所述多孔质陶瓷集合体中包含的所述多个多孔质陶瓷粒子中，可以存在至少一个从上表面观察得到的平面形状为由多条直线包围而成的多边形的多孔质陶瓷粒子。

[4]这种情况下，优选，所述多孔质陶瓷集合体中包含的所述多个多孔质陶瓷粒子中，在从上表面观察得到的平面形状中包含曲线的多孔质陶瓷粒子的比例为50％以下。

[5]另外，所述多孔质陶瓷集合体可以具有将5个以上的所述多孔质陶瓷粒子配置成各有1个顶点对峙而得到的部分。

[6]第一发明中，优选，邻接的所述多孔质陶瓷粒子彼此之间的间隙为0.1μm～10μm。

[7]第一发明中，优选，邻接的所述多孔质陶瓷粒子的侧面彼此之间平行对置，并包含所述邻接的多孔质陶瓷粒子的一个侧面相对于所述片材法线的倾斜角为45度以下的部分。

[8]第一发明中，优选，所述多孔质陶瓷集合体内的所述多孔质陶瓷粒子的个数密度不同，所述个数密度的最大值与最小值的比值(最大个数密度/最小个数密度)大于1.2。

[9]第一发明中，优选，所述多个多孔质陶瓷粒子各自的平面形状的大小不同，所述平面形状的大小的最大值与最小值的比值(最大值/最小值)大于1.2。

[10]第一发明中，优选，所述多孔质陶瓷集合体中包含的所述多个多孔质陶瓷粒子的厚度为1000μm以下，厚度的偏差为10％以下。

[11]第一发明中，优选，所述多孔质陶瓷粒子的气孔率为20％～99％。

[12]第一发明中，优选，所述多孔质陶瓷粒子的平均气孔径为500nm以下。

[13]第一发明中，优选，所述多孔质陶瓷粒子的热传导率低于1.5W/mK。

[14]第一发明中，优选，所述多孔质陶瓷粒子的热容量为1000kJ/m³K以下。

[15]第二发明涉及多孔质陶瓷结构体的制造方法，该多孔质陶瓷结构体包括1个片材和粘着在所述片材上的多孔质陶瓷集合体，且所述多孔质陶瓷集合体具有多个多孔质陶瓷粒子，所述多孔质陶瓷结构体的制造方法的特征在于，包括以下工序：制作成型体的成型体制作工序、对所述成型体进行烧成来制作烧结体的烧成工序、将所述烧结体粘着于片材的粘着工序、以及将所述烧结体分割为多个多孔质陶瓷粒子的分割工序。