[发明专利]一种应用石墨烯电极在GaN自支撑衬底上制备AlGaN肖特基日盲紫外探测器的方法

权利要求书

1.一种应用石墨烯电极在GaN自支撑衬底上制备AlGaN肖特基日盲紫外探测器的方法，包括：

通过氢化物化学气相沉积制备GaN自支撑衬底；

在所述GaN自支撑衬底的正面通过有机化学气相沉积依次沉积N型重掺杂高Al组分的AlGaN层、N型轻掺杂高Al组分的AlGaN层；所述的高Al组分的AlGaN是Al组分大于0.4的AlGaN；

在GaN自支撑衬底背面，通过电子束蒸发制作欧姆接触的背电极；

在N型轻掺杂高Al组分的AlGaN层上制备石墨烯肖特基接触，并且用剥离技术制备圆形图案；

在整个结构顶部沉积一层钝化层；

刻蚀部分钝化层至石墨烯肖特基接触表面，在肖特基接触表面延伸金属接触。

2.根据权利要求1所述的应用石墨烯电极在GaN自支撑衬底上制备AlGaN肖特基日盲紫外探测器的方法，其特征在于：所述探测器衬底为GaN自支撑衬底。

3.根据权利要求1所述的应用石墨烯电极在GaN自支撑衬底上制备AlGaN肖特基日盲紫外探测器的方法，其特征在于：在所述GaN自支撑衬底上沉积的N型重掺杂和轻掺杂材料。

4.根据权利要求1所述的应用石墨烯电极在GaN自支撑衬底上制备AlGaN肖特基日盲紫外探测器的方法，其特征在于：所述的肖特基接触材料为石墨烯。