[发明专利]一种棒状结构K2Nb8O21晶体及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710184054.1 申请日: 2017-03-24
公开(公告)号: CN106946291B 公开(公告)日: 2018-03-06
发明(设计)人: 曹慧群;于斌;曹博;辛红;廖永庆;魏波 申请(专利权)人: 深圳大学
主分类号: C01G33/00 分类号: C01G33/00
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)44268 代理人: 王永文,刘文求
地址: 518060 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 结构 k2nb8o21 晶体 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及光学材料制备领域,尤其涉及一种棒状结构K2Nb8O21晶体及其制备方法。

背景技术

K2Nb8O21具有优良的光催化性、介电性能及非线性光学性能,是催化剂、非线性光学器件最有前途的材料之一。棒状、管状和带状等一维晶体由于其微结构、尺寸而具有优良的性能,因而一维材料的制备引起了人们极大的关注。目前制备一维K2Nb8O21晶体,主要是采用熔盐法,如以Nb2O5和KCl为原料,800℃下合成了K2Nb8O21纳米带、1000℃下合成了K2Nb8O21微米线,并发现其具有良好的电性能和介电性能;另外,采用熔盐法制备了棒状的K2Nb8O21,然后以K2Nb8O21为前驱体分别制备出棒状的NaNbO3和CaNbO6粉体,还以K2Nb8O21为前驱体制备了棒状纳米KxNa1-xNbO3晶体。由上可知,目前K2Nb8O21晶体的合成都需在高温条件下进行,无法在低温合成棒状结构K2Nb8O21晶体。

因此,现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种棒状结构K2Nb8O21晶体及其制备方法,旨在解决现有方法需要在高温条件下合成棒状结构K2Nb8O21晶体的问题。

本发明的技术方案如下:

一种棒状结构K2Nb8O21晶体的制备方法,其中,包括如下步骤:

步骤S1、取Nb2O5和KOH粉体,加水搅拌均匀后,在160~190℃下反应36~60小时,反应完毕后冷却至室温,并调节pH值为5.5~6,然后在180℃~190℃下反应2~5天,反应完毕后冷却至室温,得到一维KNb3O8晶体;

步骤S2、取KOH和所述一维KNb3O8晶体,加水搅拌均匀后,在120~160℃下反应3~20小时,得到棒状结构K2Nb8O21晶体。

所述的棒状结构K2Nb8O21晶体的制备方法,其中,所述步骤S1中,所述Nb2O5和KOH粉体中,K与Nb的摩尔比为100~500:9。

所述的棒状结构K2Nb8O21晶体的制备方法,其中,所述步骤S1中,所述水与Nb2O5的摩尔比350~400: 1。

所述的棒状结构K2Nb8O21晶体的制备方法,其中,所述步骤S1中,使用3~8mol/L的HCl调节pH值为5.5~6。

所述的棒状结构K2Nb8O21晶体的制备方法,其中,所述步骤S1中,反应完毕后冷却至室温,得到一维KNb3O8晶体之间还包括步骤:水洗、过滤、滤出物用蒸馏水洗至pH值等于7后用乙醇冲洗,在60~100℃下干燥5~12小时。

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