[发明专利]硅基石墨烯栅层电光空间超快调制器

权利要求书

1.硅基石墨烯栅层电光空间超快调制器，如图1所示，其特征在于：该调制器包括SiO₂平板基底1、Al₂O₃层2、铂层3、导光硅波导4、连接硅波导5、石墨烯栅层6、正电极7、负电极8。

具体组合方式为：正电极7和负电极8周期性排列至基底表面两端，主硅波导4覆于SiO₂平板基底1之上靠中间位置，表面硅波导5同样置于SiO₂平板基底1之上，一端连接导光硅波导4，另一端连接负电极8。Al₂O₃层2覆于导光硅波导4、连接硅波导5和SiO₂平板基底1表面之上。石墨烯栅层6覆于导光硅波导4和无连接硅波导5这一侧的Al₂O₃层2上直到连至正电极7。铂层3覆于石墨烯栅层6之上，且一端连接至正电极7，另一端离导光硅波导4的距离大于500nm。分别向正电极阵列7的各单元正电极与负电极阵列8的各单元负电极两端施加该空间电信号阵列。

将调制信号编辑成随时间变化的空间电信号阵列，通过对各正负电极对间电压的控制施加随时间变化的空间电信号阵列，可以实现任意信号的高速调制。

2.根据权利要求1中描述的结构，各部分具体参数描述为：

石墨烯栅层2层数小于10，导光硅波导4的厚度小于250微米，Pt层与导光硅波导的距离大于500nm，石墨烯栅层6空间周期在百微米量级。