[发明专利]固态成像装置和电子设备

说明书

提供一种固态成像装置，包括：多个光电转换区域，光电转换从半导体基板的后表面侧入射的光；元件隔离区域，形成在以矩阵形式布置的所述多个光电转换区域之间，所述元件隔离区域包括具有比元件隔离区域内的其他半导体区域高的杂质浓度的高杂质浓度半导体区域；以及屏蔽件，形成在截面图中的所述多个光电转换区域之间，其中至少一个屏蔽件设置为覆盖对应截面图中的高杂质浓度半导体区域的后表面。

本申请是申请日为2014年03月20日、申请号为201410105871.X、发明名称为“固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备”的专利申请的分案申请。

技术领域

本公开涉及固态成像装置，固态成像装置的制造方法以及电子设备，特别是涉及能在后表面照明型固态成像装置中改进光接收灵敏度的固态成像装置、固态成像装置的制造方法以及电子设备。

背景技术

后表面照射型固态成像装置中光从半导体基板的后表面侧入射。例如，JP 2008-300614A提出了这样的后表面辐照型固态成像装置的技术，其通过将屏蔽件的光入射表面侧连接到接地电路而抑制围绕屏蔽件的有源层之间产生电荷。

发明内容

然而，因为在JP 2008-300614A的技术中P-型扩散层形成在光入射表面侧的整个界面上，所以存在灵敏度降低的风险。

本公开通过考虑这样的情形而实现，并且可改进后表面照射型固态成像装置中的光接收灵敏度。

根据本公开的第一实施例，提供一种固态成像装置，其包括光电转换从半导体基板的后表面侧入射的光的多个光电转换区域；形成在设置成矩阵形式的多个光电转换区域之间的元件隔离区域；以及形成在元件隔离区域的上表面上的屏蔽件。元件隔离区域具有连接到屏蔽件的至少一部分的高杂质浓度的高杂质浓度区域。

根据本公开的第二实施例，提供一种固态成像装置的制造方法，其包括形成光电转换从半导体基板的后表面入射的光的多个光电转换区域；在设置成矩阵形状的多个光电转换区域之间的元件隔离区域的后表面侧上形成高杂质浓度区域，该高杂质浓度区域的杂质浓度高于元件隔离区域的杂质浓度；以及在高杂质浓度区域的上表面上形成连接到高杂质浓度区域的屏蔽件。

根据本公开的第三实施例，提供一种电子设备，其包括固态成像装置，包括：

多个光电转换区域，所述多个光电转换区域光电转换从半导体基板的后表面侧入射的光；元件隔离区域，所述元件隔离区域形成在设置成矩阵形状的多个光电转换区域之间；以及屏蔽件，所述屏蔽件形成在元件隔离区域的上表面上。所述元件隔离区域具有连接到屏蔽件的至少一部分的高杂质浓度的高杂质浓度区域。

在本公开的第一至第三实施例中，形成多个光电转换区域，其光电转换从半导体基板的后表面侧入射的光；在以矩阵形状设置的多个光电转换区域之间的元件隔离区域的后表面侧上，以高于元件隔离区域的杂质浓度的更高杂质浓度，形成高杂质浓度区域；以及在连接到高杂质浓度区域的该高杂质浓度区域的上表面上形成屏蔽件。

固态成像装置和电子设备可以是独立的装置，或者可为结合成另一个装置的模块。

根据本公开的第一至第三实施例，在后表面照射型固态成像装置中可改进光接收灵敏度。

附图说明

图1是示出可应用于本公开的固态成像装置的示意性结构的模块图；

图2是示出像素共享结构示例的示意图；

图3是描述像素阵列部分的第一像素结构示例的示意图；

图4是示出其上形成屏蔽件的区域的平面图；

图5是像素阵列部分的平面图；

图6是周边电路或外围电路隔离区域和像素阵列部分之间的边界附近的截面结构图；