[发明专利]固态成像装置和电子设备

权利要求书

1.一种固态成像装置，包括：

多个光电转换区域，光电转换从半导体基板的后表面侧入射的光；

元件隔离区域，形成在以矩阵形式布置的所述多个光电转换区域之间，所述元件隔离区域包括具有比元件隔离区域内的其他半导体区域高的杂质浓度的高杂质浓度半导体区域；以及

屏蔽件，形成在截面图中的所述多个光电转换区域之间，

其中至少一个屏蔽件设置为覆盖对应截面图中的高杂质浓度半导体区域的后表面，并且所述高杂质浓度半导体区域设置为与所述光电转换区域分开。

2.根据权利要求1所述的固态成像装置，

其中所述元件隔离区域的所述高杂质浓度半导体区域直接连接到所述屏蔽件的至少一部分。

3.根据权利要求1所述的固态成像装置，

其中所述元件隔离区域的所述高杂质浓度半导体区域仅出现在光电转换红光的所述光电转换区域的周围部分中。

4.根据权利要求1所述的固态成像装置，

其中所述多个光电转换区域之间的每个所述元件隔离区域具有一个所述高杂质浓度半导体区域。

5.根据权利要求1所述的固态成像装置，

其中预定电压从周边电路提供到所述屏蔽件，所述周边电路设置在包括所述多个光电转换区域和所述元件隔离区域的像素阵列的周围。

6.根据权利要求4所述的固态成像装置，

其中预定电压通过贯通电极从周边电路提供到所述屏蔽件，所述周边电路设置在包括所述多个光电转换区域和所述元件隔离区域的像素阵列的周围。

7.根据权利要求1所述的固态成像装置，

其中所述元件隔离区域的所述高杂质浓度半导体区域形成在与所述元件隔离区域在所述半导体基板的后表面侧的界面分隔开的位置处，并且

其中所述屏蔽件嵌入该元件隔离区域内。

8.根据权利要求1所述的固态成像装置，

其中所述元件隔离区域的所述高杂质浓度半导体区域通过与所述屏蔽件的材料不同的导电材料间接地连接到所述屏蔽件的至少一部分。

9.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中，所述元件隔离区域中的其他半导体区域至少部分地围绕所述高杂质浓度半导体区域。

10.一种电子设备，包括：

固态成像装置，包括：

多个光电转换区域，光电转换从半导体基板的后表面侧入射的光；

元件隔离区域，形成在布置成矩阵形状的所述多个光电转换区域之间，所述元件隔离区域包括具有比元件隔离区域内的其他半导体区域高的杂质浓度的高杂质浓度半导体区域；以及

屏蔽件，形成在截面图中的所述多个光电转换区域之间，

其中至少一个屏蔽件设置为覆盖对应截面图中的高杂质浓度半导体区域的后表面，并且所述高杂质浓度半导体区域设置为与所述光电转换区域分开。

11.根据权利要求10所述的电子设备，

其中所述元件隔离区域的所述高杂质浓度半导体区域直接连接到所述屏蔽件的至少一部分。

12.根据权利要求10所述的电子设备，

其中所述元件隔离区域的所述高杂质浓度半导体区域仅出现在光电转换红光的所述光电转换区域的周围部分中。

13.根据权利要求10所述的电子设备，

其中所述多个光电转换区域之间的每个所述元件隔离区域具有一个所述高杂质浓度半导体区域。

14.根据权利要求10所述的电子设备，

其中预定电压从周边电路提供到所述屏蔽件，所述周边电路设置在包括所述多个光电转换区域和所述元件隔离区域的像素阵列的周围。