[发明专利]磁场相似性度量方法有效
申请号: | 201710177138.2 | 申请日: | 2017-03-23 |
公开(公告)号: | CN107122518B | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 文无敌;石剑;刘忠乐;吴茂林;张志强 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军海军工程大学 |
主分类号: | G06F30/20 | 分类号: | G06F30/20 |
代理公司: | 长沙星耀专利事务所(普通合伙) 43205 | 代理人: | 许伯严 |
地址: | 430000 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁场 相似性 度量 方法 | ||
本发明公布了一种磁场相似性度量方法,其基于离散距离的磁场相似性度量特征值Φ。相对传统的磁场相似性判定方法,特征值Φ有更广泛的适应性,能够对更加相近的磁场通过特性曲线的相似情况进行评价,且可适用于多种背景下磁场相似性的评价需求。
技术领域
本发明涉及磁场模拟技术领域,尤其涉及一种磁场相似性度量方法。
背景技术
随着磁场模拟技术的发展,已经有多种磁场模拟方法能够对目标磁场进行精细化的模拟,传统的磁场判定方法难以对模拟结果的相似情况进行度量,在磁场模拟的研究过程及磁传感器对目标的识别过程中,都缺乏较好的相似性评价标准。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提供一种磁场相似性度量方法,其基于离散Fréchet距离的磁场相似性度量特征值,相对传统的磁场判定方法,能够对更加相近的磁场曲线的相似情况进行评价,且可适用于多种背景下磁场相似性的评价需求。
本发明的技术方案是这样实现的:本发明提供了一种磁场相似性度量方法,包括以下步骤,
S1,获取两条待比较的离散曲线:F:{u1,...,um},G:{v1,...,vn},其中m和n分别代表离散曲线端点数,ui=(xui,yui)、vj=(xvj,yvj),i=1,2,...,m,j=1,2,...,n,其中,x为横坐标值,y为纵坐标值,记Fi为{u1,...,ui},Gj为{v1,...,vj};
S2,记其中,d(ui,vj)为离散点ui和vj之间在纵轴上的距离,并令当i·j=0时,δdF(Fi,Gj)=+∞,其中,δdF(Fi,Gj)为离散曲线Fi和Gj之间的Fréchet距离,则δdF(F,G)可计算如下:
L为F、G间各端点组成的如下链接序列:
其中,a1=b1=1,ak=m,bk=n,且对于i=1,...,k,需满足ai+1=ai或ai+1=ai+1,bi+1=bi或bi+1=bi+1,这样序列L同时遵循了P、Q中各端点的顺序关系,定义长度||L||为序列L中最长连接的长度,即:
S3,设对曲线F进行伸缩变换的参数为p,设置适应度函数为以p为唯一待优化参数,选取种群大小、精英数目及交叉后代比例,使用GA遗传算法进行求解,得到p值及dt(F,G);
S4,根据实际需要选取μ∈[0,1],将δdF(F,G)、dt(F,G)及p值代入下式,
式中,μ∈[0,1]及(1-μ)为两部分的权值,可根据实际需要进行选取,即可求得相似性度量特征值Φ(Fm,Gn)。
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