[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底上具有伪栅极层，所述伪栅极层的侧壁上具有初始侧墙；去除部分初始侧墙形成侧墙，所述侧墙包括：第二区和位于所述第二区上的第一区，且所述第一区与第二区相接触，在垂直于伪栅极层侧壁的方向上，所述侧墙第一区的尺寸小于侧墙第二区的尺寸；在所述基底以及侧墙的侧壁上形成介质结构，所述介质结构的顶部表面与所述伪栅极层的顶部表面齐平。所述方法能够降低形成介质结构的难度。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

晶体管作为最基本的半导体器件目前正被广泛应用。在形成晶体管的过程中，通常需形成介质层，所述介质层用于实现不同器件之间的电隔离。

然而，随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件朝着更高的元件密度，以及更高的集成度的方向发展，使得所述介质层的形成变得越来越困难。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种半导体结构及其形成方法，能够改善半导体结构性能。

为解决上述技术问题，本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底上具有伪栅极层，所述伪栅极层的侧壁上具有初始侧墙；去除部分初始侧墙形成侧墙，所述侧墙包括：第二区和位于所述第二区上的第一区，且所述第一区与第二区相接触，在垂直于伪栅极层侧壁的方向上，所述侧墙第一区的尺寸小于侧墙第二区的尺寸；在所述基底上以及侧墙的侧壁上形成介质结构，所述介质结构的顶部表面与所述伪栅极层的顶部表面齐平。

可选的，形成所述侧墙之前，还包括：在所述基底上以及初始侧墙的部分侧壁上形成牺牲层，所述牺牲层的顶部表面低于所述初始侧墙的顶部表面。

可选的，所述牺牲层顶部表面到所述初始侧墙的顶部表面的距离为：300埃～1000埃。

可选的，所述牺牲层的形成步骤包括：在所述基底上、伪栅极层的顶部表面上以及初始侧墙的侧壁和顶部表面上形成牺牲膜；去除伪栅极层顶部表面以及初始侧墙顶部表面和部分侧壁上的所述牺牲膜，暴露出部分所述初始侧墙，形成牺牲层，所述牺牲层的顶部表面低于所述初始侧墙的顶部表面。

可选的，所述牺牲膜的材料包括：底部抗反射层材料。

可选的，所述侧墙的形成步骤包括：以所述牺牲层为掩膜，刻蚀部分所述初始侧墙，直至暴露出所述牺牲层的顶部表面，形成侧墙。

可选的，刻蚀部分所述初始侧墙的工艺包括：各向同性干法刻蚀工艺；所述各向同性干法刻蚀工艺的工艺参数包括：刻蚀气体包括：CF₄、CH₃F和O₂，其中，CF₄的流量为：5标准毫升/分～100标准毫升/分，CH₃F的流量为：8标准毫升/分～50标准毫升/分，O₂的流量为：10标准毫升/分～100标准毫升/分，射频功率为：50瓦～300瓦，偏置电压为：30伏～100伏，腔室压强为：10毫托～2000毫托。

可选的，所述侧墙第一区沿垂直于伪栅极层侧壁方向上的尺寸为：3纳米～10纳米。

可选的，所述侧墙第二区沿垂直于所述伪栅极层侧壁方向上的尺寸为：3纳米～15纳米。

可选的，所述介质结构包括：位于所述基底以及侧墙部分侧壁上的第一介质层以及位于所述第一介质层上以及侧墙部分侧壁上的第二介质层，所述第二介质层的顶部表面与所述伪栅极层的顶部表面齐平。

可选的，所述第一介质层的形成步骤包括：在所述基底上、侧墙的侧壁和顶部表面以及伪栅极层的顶部表面形成第一介质膜；去除位于伪栅极层的顶部表面上、侧墙顶部表面以及第一区侧墙侧壁上的第一介质膜，形成第一介质层，所述第一介质层的顶部表面低于或者齐平于第二区的所述侧墙的顶部表面。