[发明专利]具近似绒毛状铜瘤的电解铜箔与线路板组件的制造方法

权利要求书

1.一种具近似绒毛状铜瘤的电解铜箔的制造方法，其特征在于，所述具近似绒毛状铜瘤的电解铜箔的制造方法包括：

通过一电解方法以形成一生箔层，其中，所述生箔层具有一预定表面；以及

形成一表面处理层于所述生箔层的所述预定表面，以形成一表层具有近似绒毛结构的电解铜箔，其中，所述表面处理层包括多个近似绒毛状的铜瘤，且每两个相邻的所述近似绒毛状的铜瘤之间形成一近似绒毛状的容置空间；

其中，形成所述表面处理层的步骤还进一步包括：执行一第一次电镀粗化处理以及执行一第一次电镀固化处理，其中，所述第一次电镀粗化处理所使用的一第一电镀液中含3至40g/L的铜、100至120g/L的硫酸、不超过20ppm的氧化砷以及5至20ppm的钨酸根离子。

2.如权利要求1所述的具近似绒毛状铜瘤的电解铜箔的制造方法，其特征在于，在执行所述第一电镀粗化处理时所使用的电流密度是15至40A/dm²，且所述预定表面为粗糙面或者光滑面。

3.如权利要求2所述的具近似绒毛状铜瘤的电解铜箔的制造方法，其特征在于，形成所述表面处理层的步骤还进一步包括：执行一第二次电镀粗化处理以及执行一第二次电镀固化处理，所述第二次电镀粗化处理的参数与所述第一次电镀粗化处理的参数相同，且所述第二次电镀固化处理的参数与所述第一次电镀固化处理的参数相同。

4.如权利要求3所述的具近似绒毛状铜瘤的电解铜箔的制造方法，其特征在于，形成所述表面处理层的步骤是依序执行所述第一次电镀粗化处理、所述第一次电镀固化处理、所述第二次电镀粗化处理及所述第二次电镀固化处理。

5.如权利要求3所述的具近似绒毛状铜瘤的电解铜箔的制造方法，其特征在于，形成所述表面处理层的步骤是依序执行所述第一次电镀粗化处理、所述第二次电镀粗化处理、所述第一次电镀固化处理及所述第二次电镀固化处理。

6.如权利要求1所述的具近似绒毛状铜瘤的电解铜箔的制造方法，其特征在于，在执行所述第一次电镀固化处理时所使用的一第二电镀液中含50至70g/L的铜、70至100g/L的硫酸以及低于30ppm的氧化砷，且在执行所述第一次电镀固化处理时所使用的电流密度是2至9A/dm²。

7.如权利要求1所述的具近似绒毛状铜瘤的电解铜箔的制造方法，其特征在于，所述的具近似绒毛状铜瘤的电解铜箔的制造方法还进一步包括：执行一抗热处理，以在所述表面处理层上形成一锌合金抗热层，其中，在执行所述抗热处理时所使用的电解液组成包括1至4g/L的锌以及0.3至2.0g/L的镍，且在执行所述抗热处理时所使用的电流密度是0.4至2.5A/dm²。

8.如权利要求1所述的具近似绒毛状铜瘤的电解铜箔的制造方法，其特征在于，所述的具近似绒毛状铜瘤的电解铜箔的制造方法还进一步包括：执行一抗氧化处理，以在所述表面处理层上形成一抗氧化层，其中，在执行所述抗氧化处理时所使用的电解液组成包括1至4g/L的氧化铬以及5至20g/L的氢氧化钠，且在执行所述抗热处理时所使用的电流密度是0.3至3.0A/dm²。

9.如权利要求1所述的具近似绒毛状铜瘤的电解铜箔的制造方法，其特征在于，所述的具近似绒毛状铜瘤的电解铜箔的制造方法还进一步包括：执行一硅烷耦合处理，以在所述表面处理层上形成一硅烷耦合剂处理层，其中，在执行所述硅烷耦合处理时使用0.3至1.5％重量硅烷耦合剂。

10.如权利要求1所述的具近似绒毛状铜瘤的电解铜箔的制造方法，其特征在于，多个所述近似绒毛状的铜瘤具有一最大的长轴直径以及一最大的短轴直径，最大的长轴直径介于0.5μm至1.5μm之间，最大的短轴直径介于0.1μm至1.0μm之间，且最大短轴直径与最大长轴直径之间的比值是0.2至0.7。