[发明专利]驱动电路有效
申请号: | 201710058986.1 | 申请日: | 2017-01-23 |
公开(公告)号: | CN106788357B | 公开(公告)日: | 2020-03-13 |
发明(设计)人: | 刘燕涛;刘伦 | 申请(专利权)人: | 上海贝岭股份有限公司 |
主分类号: | H03K17/042 | 分类号: | H03K17/042;H03K17/16 |
代理公司: | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人: | 薛琦;邓忠红 |
地址: | 200233 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 驱动 电路 | ||
1.一种驱动电路,其特征在于,包括电路输出端、跨导放大器、恒流源、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和分压电路;
所述分压电路串接于所述第二NMOS管的漏极和电源电压之间,所述分压电路用于输出第一反馈电压和第二反馈电压,所述第一反馈电压大于所述第二反馈电压;
所述跨导放大器的反相输入端以及所述第三NMOS管的栅极接入一预设的参考电压,所述跨导放大器的同相输入端接入所述第二反馈电压;所述跨导放大器的输出端、所述第三NMOS管的源极、所述第四NMOS管的源极接至所述恒流源的输入端,所述恒流源的输出端接地;
所述第一PMOS管的源极、所述第二PMOS管的源极、所述第三PMOS管的源极以及所述第四PMOS管的源极接入所述电源电压;所述第一PMOS管的栅极、所述第二PMOS管的栅极、所述第一PMOS管的漏极以及所述第三NMOS管的漏极电连接;所述第二PMOS管的漏极、所述第三PMOS管的栅极、所述第四PMOS管的栅极、所述第三PMOS管的漏极以及所述第四NMOS管的漏极电连接;所述第四NMOS管的栅极接入所述第一反馈电压;所述第二NMOS管的源极接地,所述第四PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的栅极电连接,所述第四PMOS管的漏极用于输出至所述电路输出端;
所述电路输出端用于驱动N型功率开关管的栅极。
2.如权利要求1所述的驱动电路,其特征在于,所述分压电路包括第一电阻和第二电阻,所述第一电阻的一端接入所述电源电压,所述第二电阻的一端与所述第二NMOS管的漏极电连接并输出所述第二反馈电压;所述第一电阻的另一端与所述第二电阻的另一端电连接并输出所述第一反馈电压。
3.如权利要求1或2所述的驱动电路,其特征在于,所述驱动电路还包括功率管关闭电路,所述功率管关闭电路包括第五NMOS管、第六NMOS管、延时电路和或非门,所述第五NMOS管的漏极与所述第四NMOS管的源极以及所述第三NMOS管的源极电连接,所述第五NMOS管的源极与所述跨导放大器的输出端以及所述恒流源的输入端电连接;所述延时电路的输入端、所述或非门的第一输入端以及所述第五NMOS管的栅极接入一控制信号,所述延时电路的输出端与所述或非门的第二输入端电连接;所述或非门的输出端与所述第六NMOS管的栅极电连接,所述第六NMOS管的漏极与所述第四PMOS管的漏极以及所述第二NMOS管的栅极电连接,所述第六NMOS管的源极接地。
4.如权利要求1所述的驱动电路,其特征在于,所述第二NMOS管与所述N型功率开关管为集成的功率开关管阵列中集成在一起的匹配采样管。
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