[发明专利]一种控制LTCC生瓷片通孔填充高度的方法在审

专利信息
申请号: 201611247672.8 申请日: 2016-12-29
公开(公告)号: CN106714474A 公开(公告)日: 2017-05-24
发明(设计)人: 陈晓勇;贾少雄;马*杰;张伟;李俊 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第二研究所
主分类号: H05K3/42 分类号: H05K3/42;H05K3/00
代理公司: 山西华炬律师事务所14106 代理人: 杨秉一
地址: 030024 *** 国省代码: 山西;14
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 控制 ltcc 瓷片 填充 高度 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及LTCC工艺领域,特别涉及一种控制LTCC生瓷片通孔填充高度的方法。

背景技术

LTCC(低温共烧陶瓷)工艺不仅用于分立片式元器件的制造,而且可以实现高密度布线多层互连基板的加工,为电路模块的三维封装创造条件。LTCC工艺采用通孔实心填充,通孔填充质量直接影响到基板层间互连。而通孔内部浆料填充不足造成凹陷,引起层间开路;通孔表面浆料填充过量造成通孔凸起,导致基板焊盘或者腔体底部不平整,从而影响LTCC基板上的器件装配。

传统的LTCC生瓷片填孔工艺主要有三种方式,挤压式填充、丝网印刷和漏版印刷,但往往存在以下缺陷:挤压式填充无法保证通孔一次性填充,经常会出现未完全填充的现象;丝网印刷是接触式填充,浆料填充高度由网版厚度决定,而网版厚度受限,浆料高度偏高;漏版印刷是非接触式填充,浆料填充压平烧结后,通孔上凸起明显。因此,需解决通孔漏填、浆料高度偏高以及通孔凸起明显的问题。

发明内容

为解决现有技术中通孔漏填、浆料高度偏高以及通孔凸起明显的问题,本发明提出一种控制LTCC生瓷片通孔填充高度的方法。

本发明的技术方案是这样实现的:

一种控制LTCC生瓷片通孔填充高度的方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤一、将不锈钢漏版放置在LTCC生瓷片的上方,不锈钢漏版上的网孔与生瓷片上的通孔一一对应,不锈钢漏版与LTCC生瓷片之间具有预定的间隙;

步骤二、通过印刷填孔的方式对LTCC生瓷片上的通孔用浆料进行填充,印刷完毕后将LTCC生瓷片取出;

步骤三、印刷完毕后的LTCC生瓷片置于恒温恒湿的环境中放置一定时间,待浆料凝固后进行烘干;

步骤四、对烘干后的LTCC生瓷片的通孔内的浆料进行压实处理,同时对凸出LTCC生瓷片的通孔表面处的浆料进行压平处理;

步骤五、利用自动刮片机将整平处理后的LTCC生瓷片表面多余的浆料刮掉,并清理LTCC生瓷片的表面。

优选的是,所述不锈钢漏版的网孔的孔径比LTCC生瓷片的通孔的孔径大15μm~30μm。

优选的是,所述步骤一中,所述不锈钢漏版与LTCC生瓷片之间的间隙为1mm~1.5mm。

优选的是,所述步骤二中印刷填孔的工艺条件为,浆料粘度:60Pa·s~3300Pa·s;印刷速度:1mm/s~2mm/s;印刷压力:30N~40N;刮刀角度:45°~65°;真空度:0.45MPa。

优选的是,所述步骤四中,所述压平处理和压实处理是利用叠压机进行;且处理的工艺条件为,压力:1.5T;时间:10s;温度:25℃。

优选的是,所述步骤三中,恒温恒湿的环境参数为,温度:22℃,湿度:55%,放置时间:6h~12h。

优选的是,所述步骤三中,烘干是采用链式烘干炉烘干,该烘干炉的设置参数为,温度:60℃~70℃,网带速度:1.5mm/s~6.7mm/s。

优选的是,所述步骤五中,所述自动刮片机的参数设置为,刮刀角度:70°~75°;刀片距离生瓷表面间距:2μm~4μm;刮刀速度:20mm/s~40mm/s;刮片次数:2次~3次;真空度:0.45MPa。

优选的是,所述LTCC生瓷片厚度范围为100μm~127μm;所述LTCC生瓷片冲孔孔径范围为100μm~300μm。

本发明的有益效果为:将印刷完毕后的LTCC生瓷片烘干后进行整平处理,确保通孔填满的同时将凸出通孔表面的浆料压平;最后利用刮片的方式将LTCC生瓷片表面的多余浆料去除,避免通孔上具有凸起,提升产品质量。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明填孔印刷烘干后的示意图;

图2为本发明填孔印刷整平后的示意图;

图3为本发明填孔印刷刮片后的示意图

图中:

1、表面浆料填充状态;2、LTCC生瓷片。

具体实施方式

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第二研究所,未经中国电子科技集团公司第二研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611247672.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top