[发明专利]自加热效应模型及测试方法有效

专利信息
申请号: 201611207623.1 申请日: 2016-12-23
公开(公告)号: CN108242200B 公开(公告)日: 2020-06-09
发明(设计)人: 林曦;沈忆华;李森生 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: G09B25/00 分类号: G09B25/00;G01R31/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 徐文欣;吴敏
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 加热 效应 模型 测试 方法
【权利要求书】:

1.一种测试方法,其特征在于,包括:

提供若干器件,所述若干器件包括待测器件和位于待测器件周围的若干邻器件;

提供一种自加热效应模型;所述自加热效应模型用于表征若干器件的热流网络,所述若干器件包括待测器件和位于待测器件周围的若干邻器件;所述自加热效应模型包括:基准热阻和基准热容;热温反馈模型,用于通过各个邻器件的热度级根据待测器件到各邻器件的距离级、待测器件垂直热扩散级、待测器件功率级、以及待测器件和各个邻器件所处环境温度级获取待测器件热度级;修正热阻模型,用于根据待测器件热度级和基准热阻获取待测器件修正热阻;修正热容模型,用于根据待测器件热度级和基准热容获取待测器件修正热容;

将各个邻器件的热度级、待测器件到各邻器件的距离级、待测器件垂直热扩散级、待测器件功率级、以及待测器件和各个邻器件所处环境温度级输入所述热温反馈模型,获取待测器件热度级;

将所述待测器件热度级和基准热阻输入所述修正热阻模型,获取待测器件修正热阻;

将所述待测器件热度级和基准热容输入所述修正热容模型,获取待测器件修正热容;

其中,所述待测器件到各邻器件的距离级表示待测器件到各邻器件的距离大小程度;所述待测器件垂直热扩散级表示待测器件在单位时间垂直待测器件基底表面向外扩散热量多少的程度;所述待测器件和各个邻器件所处环境温度级表示待测器件和各个邻器件所处环境温度的大小程度;

所述热温反馈模型包括:温度级模型,用于获取各器件的温度级;热度级模型,用于获取各器件的热度级;所述若干器件的温度级包括待测器件温度级和各个邻器件温度级;所述若干器件的热度级包括待测器件热度级和各个邻器件热度级;

所述待测器件热度级TML(S0)通过热度级模型根据待测器件温度级WTL(S0)和待测器件功率级EPD(S0)获取,TML(S0)=(WTL(S0)+EPD(S0))*ETR;所述待测器件温度级WTL(S0)通过温度级模型根据待测器件到各邻器件的距离级、各个邻器件热度级、待测器件垂直热扩散级VHD(S0)以及待测器件和各个邻器件所处环境温度级ETS获取,

第i个邻器件热度级TML(Si)通过热度级模型根据第i个邻器件温度级WTL(Si)和第i个邻器件功率级EPD(Si)获取,TML(Si)=(WTL(Si)+EPD(Si))*ETR;第i个邻器件温度级WTL(Si)通过温度级模型根据第i个邻器件到待测器件的距离级Wi0、第i个邻器件到第i个邻器件周围各个邻器件的距离级、待测器件热度级TML(S0)、第i个邻器件周围各个邻器件热度级、第i个邻器件垂直热扩散级VHD(Si)以及待测器件和各个邻器件所处环境温度级ETS获取,

其中,ETR为热度系数;Wi0表示待测器件到第i个邻器件的距离级;TML(Si)表示第i个邻器件热度级;k等于各个邻器件的总数;Wim表示第i个邻器件到第m个邻器件的距离级;TML(Sm)表示第m个邻器件热度级;

所述待测器件修正热阻Rth0通过修正热阻模型根据待测器件热度级TML(S0)和基准热阻Rth_base获取,Rtho=GRo(TML(S0))*Rth_base,其中,q大于或等于1,gn为GRo(TML(S0))中(TML(S0))n的系数;

所述待测器件修正热容Cth0通过修正热容模型根据待测器件热度级TML(S0)和基准热容Cth_base获取,Cth0=Gco(TML(S0))*Cth_base,其中,p大于或等于1,fn为Gc0(TML(S0))中(TML(S0))n的系数。

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