[发明专利]一种硅料浮选清洗的方法

说明书

技术领域

本发明属于光伏设备制造技术领域，特别是涉及一种硅料浮选清洗的方法。

背景技术

太阳能产业正以较快速度发展，在太阳能产业中，晶体硅有着不可替代的重要作用。在太阳能硅片生产过程中，从切片到电池制作过程，会产生大量不合格的碎硅片，这就需要对其回收处理以降低生产成本。回收的废硅片中含有胶、纸屑、塑料等有机杂质，石头、玻璃、石墨、陶瓷等无机非金属杂质以及不锈钢、铝、铜、铁、锡等金属杂质。

目前，对碎硅片清洗时，一般以火烤去除硅料中有机杂质，人工分选大颗粒固体杂质再加上化学腐蚀去除硅料中的杂质。人工分选的方式产量低、容易漏选、分选过程硅粉和灰尘大，对人体的危害较大，而利用酸腐蚀硅料中的杂质，化学成本高，工作环境酸雾大，产生废酸液对环境污染大。现有技术中还有一种方式是利用三氯化锑和氯化锌配制浮选液，进行硅料的清洗，但配制的浮选液中三氯化锑附着在硅料表面，与水接触极易水解，水解产物附着在硅料表面，容易对硅料产生二次污染；还有一种碱液浮选的方式，能去除硅料中大部分杂质，但实际生产过程因碱液与碎硅料反应，温度变化快，使碎硅料上浮速度难以控制，导致碎硅料大量上浮，容易夹带部分杂质，对杂质去除的效果也不彻底。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种硅料浮选清洗的方法，投入成本低，增强对杂质的去除效果，工艺流程简单，而且化学品用量少，对环境污染小。

本发明提供的一种硅料浮选清洗的方法，包括：

清洗硅料表面的沾污杂质；

在与水平方向呈预设角度的水槽中加满水，并在所述水槽底部的位于水面以上预设距离的位置持续加水；

将所述硅料放入所述水面与加水位置之间的水槽底部位置，使所述硅料随水流向下漂浮在水面上，与下沉的颗粒杂质分离；

从水面上收集漂浮的所述硅料。

优选的，在上述硅料浮选清洗的方法中，所述清洗硅料表面的沾污杂质之后，还包括：

将所述硅料在氢氟酸溶液中浸泡预设时间。

优选的，在上述硅料浮选清洗的方法中，所述预设角度为2°至3°。

优选的，在上述硅料浮选清洗的方法中，所述预设距离为0.2米至0.3米。

优选的，在上述硅料浮选清洗的方法中，所述将所述硅料在氢氟酸溶液中浸泡预设时间为：

将所述硅料在质量分数为15％至25％的氢氟酸溶液中浸泡一小时至二小时。

优选的，在上述硅料浮选清洗的方法中，所述清洗硅料表面的沾污杂质包括：

利用碱液清洗所述硅料；

利用纯水冲洗所述硅料；

利用酸液中和所述碱液；

再次利用纯水冲洗所述硅料。

优选的，在上述硅料浮选清洗的方法中，所述利用碱液清洗所述硅料为：

利用质量分数为20％至35％的氢氧化钠溶液清洗所述硅料。

优选的，在上述硅料浮选清洗的方法中，所述利用纯水冲洗所述硅料为：

利用纯水冲洗所述硅料2次至3次。

优选的，在上述硅料浮选清洗的方法中，所述利用酸液中和所述碱液为：

利用浓度为34％至37％的盐酸中和所述碱液。

通过上述描述可知，本发明提供的上述硅料浮选清洗的方法，由于包括：清洗硅料表面的沾污杂质；在与水平方向呈预设角度的水槽中加满水，并在所述水槽底部的位于水面以上预设距离的位置持续加水；将所述硅料放入所述水面与加水位置之间的水槽底部位置，使所述硅料随水流向下漂浮在水面上，与下沉的颗粒杂质分离；从水面上收集漂浮的所述硅料，因此投入成本低，增强对杂质的去除效果，工艺流程简单，而且化学品用量少，对环境污染小。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的第一种硅料浮选清洗的方法的示意图；

图2为本申请实施例利用的水槽的示意图。

具体实施方式

本发明的核心思想在于提供一种硅料浮选清洗的方法，投入成本低，增强对杂质的去除效果，工艺流程简单，而且化学品用量少，对环境污染小。