[发明专利]一种硅料浮选清洗的方法在审
| 申请号： | 201611190987.3 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN106583053A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 周海龙;邱建峰;王义斌;周慧敏;徐志群 | 申请（专利权）人： | 晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | B03D1/002 | 分类号： | B03D1/002 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 334100 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 浮选 清洗 方法 | ||
1.一种硅料浮选清洗的方法，其特征在于，包括：
清洗硅料表面的沾污杂质；
在与水平方向呈预设角度的水槽中加满水，并在所述水槽底部的位于水面以上预设距离的位置持续加水；
将所述硅料放入所述水面与加水位置之间的水槽底部位置，使所述硅料随水流向下漂浮在水面上，与下沉的颗粒杂质分离；
从水面上收集漂浮的所述硅料。
2.根据权利要求1所述的硅料浮选清洗的方法，其特征在于，所述清洗硅料表面的沾污杂质之后，还包括：
将所述硅料在氢氟酸溶液中浸泡预设时间。
3.根据权利要求1所述的硅料浮选清洗的方法，其特征在于，
所述预设角度为2°至3°。
4.根据权利要求1所述的硅料浮选清洗的方法，其特征在于，所述预设距离为0.2米至0.3米。
5.根据权利要求2所述的硅料浮选清洗的方法，其特征在于，所述将所述硅料在氢氟酸溶液中浸泡预设时间为：
将所述硅料在质量分数为15％至25％的氢氟酸溶液中浸泡一小时至二小时。
6.根据权利要求1-5任一项所述的硅料浮选清洗的方法，其特征在于，所述清洗硅料表面的沾污杂质包括：
利用碱液清洗所述硅料；
利用纯水冲洗所述硅料；
利用酸液中和所述碱液；
再次利用纯水冲洗所述硅料。
7.根据权利要求6所述的硅料浮选清洗的方法，其特征在于，所述利用碱液清洗所述硅料为：
利用质量分数为20％至35％的氢氧化钠溶液清洗所述硅料。
8.根据权利要求6所述的硅料浮选清洗的方法，其特征在于，所述利用纯水冲洗所述硅料为：
利用纯水冲洗所述硅料2次至3次。
9.根据权利要求6所述的硅料浮选清洗的方法，其特征在于，所述利用酸液中和所述碱液为：
利用浓度为34％至37％的盐酸中和所述碱液。
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