[发明专利]一种多晶硅锭的开方装置和方法

说明书

技术领域

本发明属于光伏设备制造技术领域，特别是涉及一种多晶硅锭的开方装置和方法。

背景技术

目前G6多晶硅锭开方过程中，普遍采用的如图1所示的布线方式，图1为现有技术中采用的多晶硅锭开方布线的方式的示意图。开方后得到可用硅块101和多晶边皮102其中，多晶边皮102的厚度约为3cm，靠坩埚面的多晶边皮由于受到坩埚喷涂的氮化硅和坩埚中其他杂质的扩散影响，导致靠坩埚面的多晶边皮中杂质含量高，正常情况下，该部分的多晶边皮经过打磨和清洗后，循环用于铸锭过程中。打磨过程中，硅料成粉尘状，无法循环使用，造成硅料的损耗，而且打磨过程中，会产生大量粉尘和噪音，对员工造成一定的伤害，打磨过程中，由于部分杂质镶嵌的较深，杂质无法通过打磨过程被完全去除，循环使用会导致杂质被重新引入硅锭中，降低铸锭质量。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种多晶硅锭的开方装置和方法，将边皮料分为两部分，靠近坩埚面的边皮，杂质含量较高，后续将其回炉提纯后再铸锭，而靠中心硅锭区的边皮则可以直接通过清洗后循环使用，能够减少靠近坩埚面的边皮的打磨，减少硅料中的杂质，提高铸锭质量，避免杂质去除不完全和粉尘状硅料的损耗问题。

本发明提供的一种多晶硅锭的开方装置，包括相互平行的多条切割线，其中位于最外侧的边皮切割线用于切出边皮，在所述边皮切割线的外侧还设置有至少一条对所述边皮进行细分的附加切割线，用于将靠近坩埚面的边皮与靠近中心硅锭的边皮分离出来。

优选的，在上述多晶硅锭的开方装置中，所述附加切割线的数量为一条。

优选的，在上述多晶硅锭的开方装置中，所述附加切割线与硅锭边缘之间的水平方向上的距离为5毫米至10毫米。

优选的，在上述多晶硅锭的开方装置中，所述边皮切割线与所述硅锭边缘之间的水平方向上的距离为15毫米至40毫米。

本发明提供的一种多晶硅锭的开方方法，包括：

利用如权利要求1-4任一项所述的开方装置对多晶硅锭进行开方，得到靠近坩埚面的边皮以及靠近中心硅锭的边皮；

将所述靠近坩埚面的边皮清洗后进行回炉提纯；

将所述靠近中心硅锭的边皮清洗后直接循环利用，生长多晶硅锭。

优选的，在上述多晶硅锭的开方方法中，所述将所述靠近坩埚面的边皮清洗后进行回炉提纯包括：

将所述靠近坩埚面的边皮清洗后放入坩埚中进行熔化铸锭，将杂质聚集到硅锭的头部和尾部，再将硅锭头部和尾部进行打磨酸洗以进一步除杂提纯。

通过上述描述可知，本发明提供的上述多晶硅锭的开方装置和方法，由于该装置包括相互平行的多条切割线，其中位于最外侧的边皮切割线用于切出边皮，在所述边皮切割线的外侧还设置有至少一条对所述边皮进行细分的附加切割线，用于将靠近坩埚面的边皮与靠近中心硅锭的边皮分离出来，因此，靠近坩埚面的边皮，杂质含量较高，后续将其回炉提纯后再铸锭，而靠中心硅锭区的边皮则可以直接通过清洗后循环使用，能够减少靠近坩埚面的边皮的打磨，减少硅料中的杂质，提高铸锭质量，避免杂质去除不完全和粉尘状硅料的损耗问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为现有技术中采用的多晶硅锭开方布线的方式的示意图；

图2为本申请实施例提供的第一种多晶硅锭的开方装置的示意图；

图3为利用本申请实施例提供的第一种多晶铸锭的开方装置切出来的边皮的示意图；

图4为本申请实施例提供的第一种多晶硅锭的开方方法的示意图。

具体实施方式

本发明的核心思想在于提供一种多晶硅锭的开方装置和方法，将边皮料分为两部分，靠近坩埚面的边皮，杂质含量较高，后续将其回炉提纯后再铸锭，而靠中心硅锭区的边皮则可以直接通过清洗后循环使用，能够减少靠近坩埚面的边皮的打磨，减少硅料中的杂质，提高铸锭质量，避免杂质去除不完全和粉尘状硅料的损耗问题。

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。