[发明专利]一种多晶硅锭的开方装置和方法

权利要求书

1.一种多晶硅锭的开方装置，包括相互平行的多条切割线，其中位于最外侧的边皮切割线用于切出边皮，其特征在于，在所述边皮切割线的外侧还设置有至少一条对所述边皮进行细分的附加切割线，用于将靠近坩埚面的边皮与靠近中心硅锭的边皮分离出来。

2.根据权利要求1所述的多晶硅锭的开方装置，其特征在于，所述附加切割线的数量为一条。

3.根据权利要求2所述的多晶硅锭的开方装置，其特征在于，所述附加切割线与硅锭边缘之间的水平方向上的距离为5毫米至10毫米。

4.根据权利要求3所述的多晶硅锭的开方装置，其特征在于，所述边皮切割线与所述硅锭边缘之间的水平方向上的距离为15毫米至40毫米。

5.一种多晶硅锭的开方方法，其特征在于，包括：

利用如权利要求1-4任一项所述的开方装置对多晶硅锭进行开方，得到靠近坩埚面的边皮以及靠近中心硅锭的边皮；

将所述靠近坩埚面的边皮清洗后进行回炉提纯；

将所述靠近中心硅锭的边皮清洗后直接循环利用，生长多晶硅锭。

6.根据权利要求5所述的多晶硅锭的开方方法，其特征在于，所述将所述靠近坩埚面的边皮清洗后进行回炉提纯包括：

将所述靠近坩埚面的边皮清洗后放入坩埚中进行熔化铸锭，将杂质聚集到硅锭的头部和尾部，再将硅锭头部和尾部进行打磨酸洗以进一步除杂提纯。