[发明专利]双层介质-金属光栅结构的太赫兹波偏振转换与单向传输器件有效

专利信息
申请号: 201611190016.9 申请日: 2016-12-21
公开(公告)号: CN106772754B 公开(公告)日: 2019-03-05
发明(设计)人: 胡福泰;许士通;范飞 申请(专利权)人: 南开大学
主分类号: G02B5/30 分类号: G02B5/30
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 300350 天津*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 双层 介质 金属 光栅 结构 赫兹 偏振 转换 单向 传输 器件
【权利要求书】:

1.一种双层介质-金属光栅结构的太赫兹波偏振转换与单向传输器件,其特征在于,所述器件包括介质光栅层(1)、介质衬底层(2)、金属光栅层(3),介质光栅层(1)和金属光栅层(3)分别位于介质衬底层(2)两侧,介质光栅层(1)为所述器件的正面,金属光栅层(3)为反面,介质光栅层(1)的光栅取向相对于金属光栅层(6)的光栅取向的夹角为45°。

2.根据权利要求1所述的双层介质-金属光栅结构的太赫兹波偏振转换与单向传输器件,其特征在于,金属光栅和介质光栅均为亚波长光栅,即它们的光栅周期均小于入射光波长。

3.根据权利要求1所述的双层介质-金属光栅结构的太赫兹波偏振转换与单向传输器件,其特征在于,介质光栅层(1)是在介质衬底层(2)上刻蚀获得的周期性排列的栅脊(4)和栅槽(5)组成的浮雕型光栅结构,一组栅脊和栅槽为一个光栅周期,光栅周期50μm-100μm,栅脊和栅槽宽度比在1∶2到2∶1之间,栅槽深度大于100μm,栅脊侧壁垂直度大于85°。

4.根据权利要求1所述的双层介质-金属光栅结构的太赫兹波偏振转换与单向传输器件,其特征在于,介质衬底层(2)厚度100μm-400μm,是小于入射光波长的亚波长尺度,衬底材料为高电阻率的电介质或半导体。

5.根据权利要求1所述的双层介质-金属光栅结构的太赫兹波偏振转换与单向传输器件,其特征在于,金属光栅层(3)是由在介质衬底层(2)另一侧镀上周期性间隔排列的金属栅条(6)组成金属线栅,金属栅条厚度为100nm-500nm,光栅周期10μm-30μm,金属栅条占光栅周期之比不小于50%,金属栅条的金属材料为金或铜。

6.根据权利要求1至5所述的双层介质-金属光栅结构的太赫兹波偏振转换与单向传输器件,其特征在于,介质光栅层(1)对太赫兹波具有人工双折射特性,起到偏振变换的作用,金属光栅层(3)对太赫兹波起到高偏振度的起偏作用,同时由于介质光栅层(1)于金属光栅层(3)在亚波长的介质衬底层(2)之间发生局域共振和模式耦合效应,获得高偏振转换率和单向传输隔离度以及大的工作带宽。

7.根据权利要求1至5所述的双层介质-金属光栅结构的太赫兹波偏振转换与单向传输器件,其特征在于,该器件使用时入射线偏振光(7)的偏振方向应与介质光栅脊(4)成45°角,同时与金属光栅条(6)成0°,当入射光从所述器件正面入射介质光栅层(1),可以通过器件,透过率超过90%,出射光仍为线偏振光,偏振态转过90°,偏振转换率大于95%;当偏振方向与金属光栅条(6)成0°的入射光从所述器件反面入射金属光栅层(3),透过率小于2%,单向传输隔离度大于30dB。

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