[发明专利]射频发射电路、发射机及用户终端有效
申请号: | 201611185845.8 | 申请日: | 2016-12-20 |
公开(公告)号: | CN108206703B | 公开(公告)日: | 2020-05-08 |
发明(设计)人: | 王多;李智 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H04B1/04 | 分类号: | H04B1/04 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张凤伟;吴敏 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 射频 发射 电路 发射机 用户 终端 | ||
1.一种射频发射电路,其特征在于,包括:输入方向耦合器,包络检测电路,第一包络跟踪电路,第二包络跟踪电路,信号合并电路以及射频功率放大器,其中:
所述输入方向耦合器,与所述包络检测电路及射频功率放大器耦接,适于将待发射信号分离为第一信号及第二信号,所述第一信号为适于经所述射频功率放大器发射的信号,所述第二信号为适于提供包络信号的信号;
所述包络检测电路,与所述第一包络跟踪电路及第二包络跟踪电路耦接,适于从所述第二信号中分离出所述包络信号;
所述第一包络跟踪电路,与所述信号合并电路耦接,适于对所述包络信号中频率小于第一频率的低频部分进行包络跟踪,产生与所述第一信号同步的第一包络跟踪信号;
所述第二包络跟踪电路,与所述信号合并电路耦接,适于对所述包络信号中频率大于第二频率的高频部分进行包络跟踪,产生与所述第一信号同步的第二包络跟踪信号,所述第一频率小于或等于所述第二频率;
所述信号合并电路,与所述射频功率放大器耦接,适于对所述第一包络跟踪信号及所述第二包络跟踪信号进行合并,产生偏置电压提供信号;
所述射频功率放大器,适于将偏置电压提供信号的电压作为偏置电压,对所述第二信号进行发大后输出;
当所述第一包络跟踪信号的电压高于所述第二包络跟踪信号的电压时,所述信号合并电路将所述第一包络跟踪信号作为所述偏置电压提供信号;当所述第一包络跟踪信号的电压小于所述第二包络跟踪信号的电压时,所述信号合并电路将所第一包络跟踪信号及所述第二包络跟踪信号合并后的信号,作为所述偏置电压提供信号。
2.如权利要求1所述的射频发射电路,其特征在于,所述第一包络跟踪电路包括:低通滤波器,以及DC-DC转换器,其中:
所述低通滤波器,与所述包络检测电路耦接,适于对所述包络信号进行低通滤波,得到所述包络信号中频率小于第一频率的低频部分;
所述DC-DC转换器,适于与所述低通滤波器耦接,适于对所述包络信号中频率小于第一频率的低频部分进行包络跟踪,得到与所述第一信号同步的第一包络跟踪信号。
3.如权利要求2所述的射频发射电路,其特征在于,所述DC-DC转换器为升压降压型DC-DC转换器。
4.如权利要求2所述的射频发射电路,其特征在于,所述第二包络跟踪电路包括:高通滤波器,线性放大器以及开关电路,其中:
所述高通滤波器,与所述包络检测电路耦接,适于对所述包络信号进行高通滤波,得到所述包络信号中频率大于第二频率的高频部分;
所述线性放大器,与所述高通滤波器耦接,适于对所述包络信号中频率大于第二频率的高频部分进行包络跟踪,得到与所述第一信号同步的第二包络跟踪信号;
所述开关电路,与所述线性放大器耦接,适于在所述第二包络跟踪信号的电压大于所述第一包络跟踪信号的电压时,闭合所述第二包络跟踪电路,将所述第二包络跟踪信号输入至所述信号合并电路。
5.如权利要求4所述的射频发射电路,其特征在于,当所述第一频率等于所述第二频率时,所述第一频率及第二频率为所述DC-DC转换器的转换效率为最大转换效率的百分之七十时所对应的频率。
6.如权利要求4所述的射频发射电路,其特征在于,所述开关电路为二极管,所述二极管的正极与所述线性放大器耦接,负极与所述信号合并电路耦接。
7.如权利要求4所述的射频发射电路,其特征在于,所述射频发射电路还包括:延时处理单元,适于对所述第一包络跟踪信号、第二包络跟踪信号及第一信号中的至少两个进行延时处理,使得所述第一包络跟踪信号、第二包络跟踪信号及第一信号同步。
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