[发明专利]一种钠离子电池负极用三维花状SnSe2纳米晶的制备方法在审

专利信息
申请号: 201611180177.X 申请日: 2016-12-19
公开(公告)号: CN106654261A 公开(公告)日: 2017-05-10
发明(设计)人: 黄剑锋;程娅伊;李嘉胤;曹丽云;欧阳海波;席乔;齐慧 申请(专利权)人: 陕西科技大学
主分类号: H01M4/58 分类号: H01M4/58;H01M10/054;C01B19/04;B82Y30/00
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司61200 代理人: 张弘
地址: 710021 *** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 钠离子 电池 负极 三维 snse2 纳米 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种钠离子电池负极用三维花状SnSe2纳米晶的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

1)将无机锡盐加入到乙二醇中,搅拌至完全溶解形成无色透明溶液A;将硒酸盐加入到水合肼中,搅拌至完全溶解得到溶液B;然后将溶液B逐滴加入到溶液A中形成混合溶液C,并搅拌均匀;其中,锡离子与硒离子按摩尔比为1:(1~4);

2)将混合液C转移至水热釜中,然后将水热釜置于水热反应仪中,在160~200℃充分反应,反应结束后随炉冷却至室温,然后洗涤、离心得到黑色的粉体,将分离得到的粉体烘干得到SnSe2纳米晶。

2.根据权利要求1所述一种钠离子电池负极用三维花状SnSe2纳米晶的制备方法,其特征在于:所述的无机锡盐为SnCl2·2H2O。

3.根据权利要求1所述一种钠离子电池负极用三维花状SnSe2纳米晶的制备方法,其特征在于:所述的硒酸盐为NaSeO3·5H2O。

4.根据权利要求1所述一种钠离子电池负极用三维花状SnSe2纳米晶的制备方法,其特征在于:步骤1)中,搅拌为磁力搅拌,搅拌速度为500~800r/min,搅拌时间20~60min。

5.根据权利要求1所述一种钠离子电池负极用三维花状SnSe2纳米晶的制备方法,其特征在于:步骤1)具体为:将0.045~2.256g SnCl2·2H2O加入到38~54mL乙二醇中,搅拌至SnCl2·2H2O完全溶解形成无色透明溶液A;称取0.0158~3.158g NaSeO3·5H2O,加入到2~10mL水合肼中,搅拌至完全溶解记为溶液B;然后将溶液B逐滴加入到溶液A中形成混合溶液C。

6.根据权利要求1所述一种钠离子电池负极用三维花状SnSe2纳米晶的制备方法,其特征在于:步骤2)中,所述水热釜的填充度控制在50~80%。

7.根据权利要求1所述一种钠离子电池负极用三维花状SnSe2纳米晶的制备方法,其特征在于:所述的SnSe2纳米晶为纯相的SnSe2三维花球,SnSe2花球由纳米薄片组装而成,花球的尺寸为1~2μm,薄片的厚度为10nm,薄片与薄片之间有孔隙。

8.根据权利要求1所述一种钠离子电池负极用三维花状SnSe2纳米晶的制备方法,其特征在于:所述的SnSe2纳米晶作为电池负极使用时,SnSe2纳米晶与粘结剂和导电剂按质量比7:1.5:1.5混合制备成负极片,粘结剂为羧甲基纤维素CMC,导电剂为super P。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陕西科技大学,未经陕西科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611180177.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top