[发明专利]一种钠离子电池负极用三维花状SnSe2纳米晶的制备方法在审
申请号: | 201611180177.X | 申请日: | 2016-12-19 |
公开(公告)号: | CN106654261A | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 黄剑锋;程娅伊;李嘉胤;曹丽云;欧阳海波;席乔;齐慧 | 申请(专利权)人: | 陕西科技大学 |
主分类号: | H01M4/58 | 分类号: | H01M4/58;H01M10/054;C01B19/04;B82Y30/00 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司61200 | 代理人: | 张弘 |
地址: | 710021 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 钠离子 电池 负极 三维 snse2 纳米 制备 方法 | ||
1.一种钠离子电池负极用三维花状SnSe2纳米晶的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)将无机锡盐加入到乙二醇中,搅拌至完全溶解形成无色透明溶液A;将硒酸盐加入到水合肼中,搅拌至完全溶解得到溶液B;然后将溶液B逐滴加入到溶液A中形成混合溶液C,并搅拌均匀;其中,锡离子与硒离子按摩尔比为1:(1~4);
2)将混合液C转移至水热釜中,然后将水热釜置于水热反应仪中,在160~200℃充分反应,反应结束后随炉冷却至室温,然后洗涤、离心得到黑色的粉体,将分离得到的粉体烘干得到SnSe2纳米晶。
2.根据权利要求1所述一种钠离子电池负极用三维花状SnSe2纳米晶的制备方法,其特征在于:所述的无机锡盐为SnCl2·2H2O。
3.根据权利要求1所述一种钠离子电池负极用三维花状SnSe2纳米晶的制备方法,其特征在于:所述的硒酸盐为NaSeO3·5H2O。
4.根据权利要求1所述一种钠离子电池负极用三维花状SnSe2纳米晶的制备方法,其特征在于:步骤1)中,搅拌为磁力搅拌,搅拌速度为500~800r/min,搅拌时间20~60min。
5.根据权利要求1所述一种钠离子电池负极用三维花状SnSe2纳米晶的制备方法,其特征在于:步骤1)具体为:将0.045~2.256g SnCl2·2H2O加入到38~54mL乙二醇中,搅拌至SnCl2·2H2O完全溶解形成无色透明溶液A;称取0.0158~3.158g NaSeO3·5H2O,加入到2~10mL水合肼中,搅拌至完全溶解记为溶液B;然后将溶液B逐滴加入到溶液A中形成混合溶液C。
6.根据权利要求1所述一种钠离子电池负极用三维花状SnSe2纳米晶的制备方法,其特征在于:步骤2)中,所述水热釜的填充度控制在50~80%。
7.根据权利要求1所述一种钠离子电池负极用三维花状SnSe2纳米晶的制备方法,其特征在于:所述的SnSe2纳米晶为纯相的SnSe2三维花球,SnSe2花球由纳米薄片组装而成,花球的尺寸为1~2μm,薄片的厚度为10nm,薄片与薄片之间有孔隙。
8.根据权利要求1所述一种钠离子电池负极用三维花状SnSe2纳米晶的制备方法,其特征在于:所述的SnSe2纳米晶作为电池负极使用时,SnSe2纳米晶与粘结剂和导电剂按质量比7:1.5:1.5混合制备成负极片,粘结剂为羧甲基纤维素CMC,导电剂为super P。
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