[发明专利]一种复合量子点发光二极管器件及其制备方法

权利要求书

1.一种复合量子点发光二极管器件，从下至上依次包括阳极基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层，其特征在于，所述发光层为量子点复合发光层，所述量子点复合发光层由量子点发光材料和有机-无机杂化钙钛矿材料组成；所述量子点复合发光层为量子点发光材料与有机-无机杂化钙钛矿材料组成的混合层；所述混合层由量子点发光材料与有机-无机杂化钙钛矿材料按重量比为0.001～90:1的比例制备而成。

2.一种复合量子点发光二极管器件，从下至上依次包括阳极基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层，所述发光层为量子点复合发光层，其特征在于，所述量子点复合发光层的结构从下至上依次包括：量子点发光层和有机-无机杂化钙钛矿层。

3.一种复合量子点发光二极管器件，从下至上依次包括阳极基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层，所述发光层为量子点复合发光层，其特征在于，所述量子点复合发光层的结构从下至上依次包括：有机-无机杂化钙钛层和量子点发光层。

4.根据权利要求2-3任一所述的复合量子点发光二极管器件，其特征在于，所述量子点发光层的材料为II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物或IV族单质中的一种或多种。

5.根据权利要求1-3任一所述的复合量子点发光二极管器件，其特征在于，所述有机-无机杂化钙钛矿材料的结构通式为AMX₃，其中M为二价金属阳离子，X为卤素阴离子，A为有机胺阳离子。

6.根据权利要求2或3所述的复合量子点发光二极管器件，其特征在于，所述量子点发光层的厚度为1～100nm，所述有机-无机杂化钙钛矿层的厚度为1～300nm。

7.根据权利要求1-3任一所述的复合量子点发光二极管器件，其特征在于，所述电子传输层的材料为n型ZnO、TiO₂、SnO、Ta₂O₃、AlZnO、ZnSnO、InSnO、Alq3、Ca、Ba、CsF、LiF、CsCO₃中的一种或多种。

8.一种复合量子点发光二极管器件的制备方法，其特征在于，包括步骤：

A在阳极基板表面沉积至少一层空穴注入层；

B、在空穴注入层表面沉积至少一层空穴传输层；

C、在空穴传输层表面沉积至少一层由量子点发光材料和有机-无机杂化钙钛矿材料组成的量子点复合发光层，所述量子点复合发光层由量子点发光材料和有机-无机杂化钙钛矿材料按照重量比为0.001-90:1的比例混合组成；或者，所述量子点复合发光层的结构从下至上依次包括量子点发光层和有机-无机杂化钙钛矿层；或者，所述量子点复合发光层的结构从下至上依次包括：有机-无机杂化钙钛层和量子点发光层；

D、在量子点复合发光层表面沉积至少一层电子传输层；

E、在电子传输层表面沉积阴极层，得到复合量子点发光二极管。