[发明专利]SPiN二极管可重构等离子套筒偶极子天线在审
| 申请号： | 201611168357.6 | 申请日： | 2016-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN106602270A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 舒圣杰;王起 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01Q5/321 | 分类号： | H01Q5/321;H01Q1/22;H01Q1/50;H01Q1/36 |
| 代理公司： | 西安智萃知识产权代理有限公司61221 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | spin 二极管 可重构 等离子 套筒 偶极子 天线 | ||
1.一种SPiN二极管可重构等离子套筒偶极子天线，其特征在于，包括：
半导体基片(1)、SPiN二极管天线臂(2)、第一SPiN二极管套筒(3)、第二SPiN二极管套筒(4)、同轴馈线(5)、直流偏置线(9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19)；
所述SPiN二极管天线臂(2)、所述第一SPiN二极管套筒(3)、所述第二SPiN二极管套筒(4)及所述直流偏置线(9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19)均制作于所述半导体基片(1)上；所述SPiN二极管天线臂(2)与所述第一SPiN二极管套筒(3)及所述第二SPiN二极管套筒(4)通过所述同轴馈线(5)连接，所述同轴馈线(5)的内芯线(7)连接所述SPiN二极管天线臂(2)且所述同轴馈线(5)的外导体(8)连接所述第一SPiN二极管套筒(3)及所述第二SPiN二极管套筒(4)；
其中，所述SPiN二极管天线臂(2)包括串行连接的SPiN二极管串(w1、w2、w3)，所述第一SPiN二极管套筒(3)包括串行连接的SPiN二极管串(w4、w5、w6)，所述第二SPiN二极管套筒(4)包括串行连接的SPiN二极管串(w7、w8、w9)，每个所述SPiN二极管串(w1、w2、w3、w4、w5、w6、w7、w8、w9)通过对应的所述直流偏置线(9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19)连接至直流偏置。
2.根据权利要求1所述的天线，其特征在于，所述半导体基片为Si基SOI半导体片。
3.根据权利要求1所述的天线，其特征在于，SPiN二极管天线臂和SPiN二极管套筒均包括N段SPiN二极管串，N的取值范围为N≥2。
4.根据权利要求1所述的天线，其特征在于，所述直流偏置线(9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19)采用CVD工艺制作于所述半导体基片(1)上。
5.根据权利要求1所述的天线，其特征在于，所述直流偏置线(9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19)由铜、铝或者高掺杂的多晶硅制备形成。
6.根据权利要求1所述的天线，其特征在于，所述SPiN二极管串(w1、w2、w3、w4、w5、w6、w7、w8、w9)包括SPiN二极管，所述SPiN二极管包括P+区(27)、N+区(26)、本征区(22)、P+接触区(23)及N+接触区(24)；所述P+接触区(23)分别连接所述P+区(27)与直流电源的正极，所述N+接触区(24)分别连接所述N+区(26)与直流电源的负极。
7.根据权利要求6所述的天线，其特征在于，所述P+区(27)及所述N+区(26)的掺杂浓度为0.5×1020～5×1020cm-3。
8.根据权利要求1所述的天线，其特征在于，所述SPiN二极管天线臂(2)和所述第一SPiN二极管套筒(3)及所述第二SPiN二极管套筒(4)均包括串行连接的3个所述SPiN二极管串。
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