[发明专利]高压低热预算高K后退火工艺在审
| 申请号： | 201611168041.7 | 申请日： | 2016-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN106783622A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 黄秋铭 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/165 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 徐伟 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高压 低热 预算 退火 工艺 | ||
1.一种用于形成p沟道金属氧化物半导体(PMOS)器件的方法，所述方法包括：
形成衬底，所述衬底包括硅材料；
蚀刻所述衬底以形成腔；以及
在所述腔中沉积硅锗以形成所述衬底的表面之上的SiGe种子层、所述SiGe种子层之上的第一SiGe过渡层、所述第一SiGe过渡层之上的SiGe中间层、以及所述SiGe中间层之上的第二SiGe过渡层，其中
所述第一SiGe过渡层具有从所述第一SiGe过渡层的底部向所述第一SiGe过渡层的顶部增大的锗Ge含量，其中所述第一SiGe过渡层的底部的Ge含量与所述SiGe种子层中的Ge含量相同或者更高；
所述SiGe中间层具有与所述第一SiGe过渡层的顶部的Ge含量相同或更高的Ge含量；以及
所述第二SiGe过渡层具有从所述第二SiGe过渡层的底部向所述第二SiGe过渡层的顶部降低的Ge含量，其中所述第二SiGe过渡层的底部的Ge含量与所述SiGe中间层中的Ge含量相同或者更低。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一SiGe过渡层中Ge含量的百分比介于20％至50％之间。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述SiGe中间层中Ge含量的百分比介于30％至50％之间。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二SiGe过渡层中Ge含量的百分比介于0％至50％之间。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二SiGe过渡层的顶部的Ge含量为0。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在所述第二SiGe过渡层之上形成盖层。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一SiGe过渡层被表征为厚度介于30埃至500埃之间。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述SiGe中间层被表征为厚度介于100埃至800埃之间。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二SiGe过渡层被表征为厚度介于100埃至300埃之间。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述SiGe中间层的顶部与所述衬底的表面持平或基本持平。
11.一种p沟道金属氧化物半导体(PMOS)器件，包括：
衬底，所述衬底包括硅材料；
形成于所述衬底之上的HKMG栅极叠层；以及
位于所述HKMG栅极叠层的相对两侧的嵌入式硅锗区域，每一所述硅锗区域包括所述衬底的表面之上的SiGe种子层、所述SiGe种子层之上的第一SiGe过渡层、所述第一SiGe过渡层之上的SiGe中间层、以及所述SiGe中间层之上的第二SiGe过渡层，其中
所述第一SiGe过渡层具有从所述第一SiGe过渡层的底部向所述第一SiGe过渡层的顶部增大的锗Ge含量，其中所述第一SiGe过渡层的底部的Ge含量与所述SiGe种子层中的Ge含量相同或者更高；
所述SiGe中间层具有与所述第一SiGe过渡层的顶部的Ge含量相同或更高的Ge含量；以及
所述第二SiGe过渡层具有从所述第二SiGe过渡层的底部向所述第二SiGe过渡层的顶部降低的Ge含量，其中所述第二SiGe过渡层的底部的Ge含量与所述SiGe中间层中的Ge含量相同或者更低。
12.如权利要求11所述的PMOS器件，其特征在于，所述第一SiGe过渡层中Ge含量的百分比介于20％至50％之间。
13.如权利要求11所述的PMOS器件，其特征在于，所述SiGe中间层中Ge含量的百分比介于30％至50％之间。
14.如权利要求11所述的PMOS器件，其特征在于，所述第二SiGe过渡层中Ge含量的百分比介于0％至50％之间。
15.如权利要求11所述的PMOS器件，其特征在于，所述第二SiGe过渡层的顶部的Ge含量为0。
16.如权利要求11所述的PMOS器件，其特征在于，所述第一SiGe过渡层被表征为厚度介于30埃至500埃之间。
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