[发明专利]一种硅抛光片边缘加工工艺

权利要求书

1.一种硅抛光片边缘加工工艺，其特征在于，它包括以下步骤：

(1)使用单面抛光机对碱腐蚀或酸腐蚀后的硅片进行单面粗抛光；

(2)使用边缘抛光机对硅片边缘进行抛光处理；

(3)使用单面抛光机进行中抛光和精细抛光。

2.根据权利要求1所述的硅抛光片边缘加工工艺，其特征在于，在所述步骤(1)中，单面粗抛光的抛光速率为每分钟去除0.5-1.5微米，单面粗抛光去除量为5-30微米。

3.根据权利要求1所述的硅抛光片边缘加工工艺，其特征在于，在所述步骤(1)中，单面粗抛光时所使用的抛光布的洛氏硬度为70-90。

4.根据权利要求1所述的硅抛光片边缘加工工艺，其特征在于，在步骤(1)和步骤(2)之间，以及在步骤(2)和步骤(3)之间增加清洗步骤，清洗掉单面粗抛光或边缘抛光后残留在硅片上的抛光液，并对硅片进行干燥。

5.根据权利要求1所述的硅抛光片边缘加工工艺，其特征在于，所述步骤(3)中，单面中抛光的抛光速率为每分钟去除0.2-0.8微米，单面中抛光去除量为0.5-5微米。

6.根据权利要求1所述的硅抛光片边缘加工工艺，其特征在于，在所述步骤(3)中，单面中抛光时所使用的抛光布的洛氏硬度为50-85。