[发明专利]一种采用二相流雾化清洗晶圆表面污染物的方法

权利要求书

1.一种采用二相流雾化清洗晶圆表面污染物的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：使晶圆以第一转速旋转，通过主液体管路向晶圆表面喷淋第一流量的第一清洗液体，以在晶圆表面形成液体薄膜，并对晶圆表面进行第一时间的清洗；

步骤二：使晶圆以第二转速旋转，关闭主液体管路，并向二相流雾化喷嘴中通入第二流量的气态清洗介质和第三流量的液态清洗介质，以通过二相流雾化喷嘴向晶圆表面喷射经调制的雾化液体颗粒，并对晶圆表面进行第二时间的二相流雾化清洗；

步骤三：使晶圆以第三转速旋转，关闭二相流雾化喷嘴，通过主液体管路向晶圆表面喷淋第四流量的第二清洗液体，对晶圆表面进行第三时间的冲洗，使颗粒污染物脱离晶圆表面；

步骤四：使晶圆以第四转速旋转，关闭主液体管路，通过干燥管路向晶圆表面喷淋干燥介质，对晶圆表面进行第四时间的干燥；

其中，第四转速大于第一-第三转速，第二转速不小于第一、第三转速，第二时间大于第一、第三、第四时间，第三、第四时间不小于第一时间，第二流量大于第五流量，第五流量大于第一、第三、第四流量，第一、第四流量大于第三流量。

2.根据权利要求1所述的采用二相流雾化清洗晶圆表面污染物的方法，其特征在于，步骤一和步骤三中，调整使所述主液体管路按固定位置或者是按运动的方式喷淋第一和第二清洗液体。

3.根据权利要求1所述的采用二相流雾化清洗晶圆表面污染物的方法，其特征在于，步骤二中，调整使所述二相流雾化喷嘴在晶圆表面上方作圆弧往复运动，以使从二相流雾化喷嘴喷出的雾化颗粒均匀覆盖整个晶圆表面范围。

4.根据权利要求1所述的采用二相流雾化清洗晶圆表面污染物的方法，其特征在于，步骤四中，调整使所述干燥管路按固定位置或者是按圆弧往复的方式喷淋干燥介质。

5.根据权利要求1所述的采用二相流雾化清洗晶圆表面污染物的方法，其特征在于，所述第一-第四转速分别为200-500、200-800、200-500、1200-2100rpm。

6.根据权利要求1所述的采用二相流雾化清洗晶圆表面污染物的方法，其特征在于，所述第一-第四时间分别为5-20、10-90、5-30、5-30s。

7.根据权利要求1所述的采用二相流雾化清洗晶圆表面污染物的方法，其特征在于，所述第一-第五流量分别为0.5-2、5-30、0.05-0.3、0.5-2、1-20L/min。

8.根据权利要求1所述的采用二相流雾化清洗晶圆表面污染物的方法，其特征在于，所述第一、第二清洗液体相同或不同。

9.根据权利要求1所述的采用二相流雾化清洗晶圆表面污染物的方法，其特征在于，步骤四中，所述干燥介质为气体或液体。

10.根据权利要求1所述的采用二相流雾化清洗晶圆表面污染物的方法，其特征在于，步骤四中，通过干燥管路向晶圆表面喷淋液体干燥介质，同时，通过增设另一干燥管路向晶圆表面喷射气体干燥介质，以加快对晶圆表面的干燥，并防止水印的残留。