[发明专利]一种细茎石斛贴石崖栽方法

权利要求书

1.一种细茎石斛贴石崖栽方法，其特征在于：包括以下步骤：

1）选择海拔800-1400米的喀斯特山区的砂岩作为种植地域；

2）将丛种苗≥3株，株高≥8厘米的细茎石斛种苗用浓度500倍的多菌灵对株丛进行浸泡处理20分钟，捞出晾干；

3）将细茎石斛种苗用营养液浸泡20min，用剪刀将细茎石斛株丛的枯枝和老化的根剪去，并将大株丛分成3-5株的小株丛，分株时不能损坏新芽，分好的株丛至少包含1根带叶的假鳞茎；

4）将种植地域岩石表面的枯枝落叶清理干净，清除带泥土的苔藓，用水对岩石表面冲洗，肉眼观察无泥土；

5）当年3-6月，用苔藓包住细茎石斛株丛的根部的一面，苔藓包裹一面远离岩石，无苔藓包裹的一面面向岩石，将其定植在在岩石上；

6）细茎石斛株丛定植后，用水浇透岩石和株丛，在株丛定植的3个月内，根据天气情况，遇到连续天晴，需每天早晚浇水，并喷施MS营养液。

2.根据权利要求1所述的细茎石斛贴石崖栽方法，其特征在于：步骤1）所述种植地域为朝向坐南朝北，崖面斜率在60度以上；

年平均气温12~18 ℃，极端最高温度34 ℃以下，极端最低温度-10 ℃以上，无霜期200 天以上，空气相对湿度60％以上。

3.根据权利要求1所述的细茎石斛贴石崖栽方法，其特征在于：步骤2）所述营养液为在谁溶液中添加NAA 0.8mg/L、6-BA 1.2mg/L、IAA0.3mg/L和花宝2号2g/L。

4.根据权利要求1所述的细茎石斛贴石崖栽方法，其特征在于：步骤5）所述的细茎石斛株丛定植后应该假鳞茎基部和新芽露在外面。