[发明专利]一种保护电路及方法

权利要求书

1.一种保护电路，其特征在于，应用于boost电路，所述boost电路设置有通过第一开关的寄生二极管所形成的输入到输出的直通电路；所述保护电路包括：

过流检测电路，配置为对流经所述第一开关的第一电流进行采样；以及检测所述第一电流是否满足第一条件；所述第一条件表征所述boost电路的输出电流发生过流；

第一控制电路，配置为当所述第一电流满足所述第一条件时，向第二开关输出第一控制信号；

第二开关，配置为响应所述第一控制信号，断开所述直通电路；其中，所述第一开关为MOSFET；

第二控制电路；

第三控制电路，配置为将所述过 流检测电路的检测结果输出至所述第一控制电路及第二控制电路；其中，

所述第三控制电路，还配置为boost电路关闭后，当等待时间到达后，重新启动所述boost电路及第二开关；

所述过流检测电路，还配置为在电路重新启动过程中检测流经所述第一开关的第一电流进行采样；以及检测所述第一电流是否满足所述第一条件；

所述第一控制电路，还配置为在电路重新启动过程中当所述第一电流满足所述第一条件时，向第二开关输出所述第一控制信号，以使所述第二开关停止重新启动；

相应地，所述第二控制电路，配置为在电路重新启动过程中当所述第一电流满足所述第一条件时，向所述第一开关输出第二控制信号，并向所述boost电路的第三开关输出第三控制信号，以使所述boost电路停止重新启动。

2.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述过流检测电路，配置为通过并联等效电阻的方式对所述第一电流进行采样。

3.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述第二开关，配置为断开所述boost电路输出端与负载的连接。

4.根据权利要求3所述的保护电路，其特征在于，所述第二开关包括P沟道金属氧化物半导体场效应管PMOS。

5.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述第二控制电路，还配置为当所述第一电流满足所述第一条件时，向所述第一开关输出第二控制信号，并向所述boost电路的第三开关输出第三控制信号，以使所述boost电路停止对输入电压进行升压调制；其中，

所述第二控制控制信号与第三控制信号的相位反向；

所述boost电路正常工作时，所述第二控制电路能够通过对所述第三开关的电流采样控制所述boost电路的电流环电路，使所述boost电路输出端电压保持恒定。

6.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述第三控制电路，还配置为：

接收去使能信号；

响应所述去使能信号，检测所述boost电路的输出端电压是否满足第二条件；所述第二条件表征所述输出端电压低于所述boost电路的输入电压至预设值；以及向所述第一控制电路及第二控制电路输出检测结果；

相应地，所述第一控制电路，还配置为当所述boost电路的输出端电压满足所述第二条件时，向所述第二开关输出第一控制信号；

所述第二控制电路，还配置为当所述boost电路的输出端电压满足所述第二条件时，向所述第一开关输出第二控制信号，并向所述boost电路的第三开关输出第三控制信号；其中，

所述去使能信号用于指示采用所述boost电路的输出端电压进行过流检测。