[发明专利]铈钴掺杂的烧结钕铁硼磁体及其制备方法

权利要求书

1.一种铈钴掺杂的烧结钕铁硼磁体，所述烧结钕铁硼磁体按质量百分比包括：PrNd：28％～32％，B：0.5％～1.5％，Ce：0～3％，Al：0.05％～0.55％，Cu：0.05％～0.25％，Co：0～2％，Ga：0％～0.2％，余量为Fe。

2.如权利要求1所述的铈钴掺杂的烧结钕铁硼磁体，其中，所述烧结钕铁硼磁体按质量百分比包括：PrNd：28.8％，B：0.98％，Ce：2.2％，Al：0.50％，Cu：0.15％，Co：0.8％，Ga：0.10％，余量为Fe。

3.一种制备权利要求1～2中任一项所述铈钴掺杂的烧结钕铁硼磁体的方法，包括以下步骤：

步骤一、将制备烧结钕铁硼磁体的原材料投入到真空感应熔炼炉中进行熔炼，利用SC铸片工艺进行浇铸得到钕铁硼合金薄片；

步骤二、将所述钕铁硼合金薄片在氢爆设备中进行吸氢脱氢处理；

步骤三、将步骤二处理后的钕铁硼合金薄片利用气流磨设备进行制粉，得到钕铁硼粉末；

步骤四、将步骤三得到的钕铁硼粉末进行磁场取向及压制处理，得到钕铁硼压坯；

步骤五、将步骤四得到的钕铁硼压坯进行烧结回火处理，得到烧结钕铁硼磁体。

4.如权利要求3所述的制备铈钴掺杂的烧结钕铁硼磁体的方法，其中，所述步骤一具体包括：真空感应熔炼炉抽真空至10^-2Pa；之后向真空感应熔炼炉内充入高纯氩气至压力为35～45kPa，对真空感应熔炼炉进行加热，熔炼温度为1200℃～1450℃范围内原材料完全熔化并进行浇铸，冷却辊转速为2.0～5.0m/s，得到厚度为0.15～0.45mm的钕铁硼合金薄片。

5.如权利要求3所述的制备铈钴掺杂的烧结钕铁硼磁体的方法，其中，所述步骤二具体包括：将步骤一得到的钕铁硼合金薄片置入氢爆炉中，通入氢气，直至炉内压力达到0.1MPa进行吸氢处理，吸氢饱和后抽真空使压力降到0.08kPa以下，将氢爆炉加热至580℃进行脱氢处理，其中，氢气纯度≥99.99％。

6.如权利要求3所述的制备铈钴掺杂的烧结钕铁硼磁体的方法，其中，所述步骤三具体包括：将经过步骤二脱氢处理后得到的粗粉进行破碎处理得到平均粒径8～15μm的碎粉，之后利用气流磨设备进行制粉，控制粉末粒度为2.8～4.5μm，平均粉末粒度为3.3μm，将粉末进行搅拌混粉处理3.5h，得到钕铁硼粉末。

7.如权利要求3所述的制备铈钴掺杂的烧结钕铁硼磁体的方法，其中，所述步骤四具体包括：在氮气的保护气氛下，将钕铁硼粉末置入模具通过成型压机加磁场进行磁场取向成型处理，磁场强度≥1.5T；然后结合CIP工艺进行压制生坯得到钕铁硼压坯。

8.如权利要求3所述的制备铈钴掺杂的烧结钕铁硼磁体的方法，其中，其中，所述步骤五具体包括：将步骤四得到的钕铁硼压坯在烧结炉中进行烧结、保温与冷却处理，其中，烧结炉内的气氛为氩气，烧结温度为1020～1060℃，保温时间为8～10h，冷却温度为20～80℃；然后，将冷却后的毛坯在520-600℃下回火3.0～3.5h之后进行氩气风冷处理得到烧结钕铁硼磁体。