[发明专利]一种中高温厚膜电路导体浆料及其制备方法

权利要求书

1.一种中高温厚膜电路导体浆料，其特征在于，包括有以下重量份的物料，具体为：

导电相粉末70%-80%

有机载体10%-20%

玻璃粉无机粘结相2%-8%

助剂2%-5%；

其中，导电相粉末由银粉、钯粉、五氧化二钌粉以及铱粉组成；

有机载体由树脂、溶剂组成；

玻璃粉无机粘结相由Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃组成。

2.根据权利要求1所述的一种中高温厚膜电路导体浆料，其特征在于：所述导电相粉末中银粉、钯粉、五氧化二钌粉、铱粉四种物料的重量份依次为：88%-95%、2%-8%、1%-5%、0.5%-1%。

3.根据权利要求1或者2所述的一种中高温厚膜电路导体浆料，其特征在于：所述导电相粉末中银粉、钯粉、五氧化二钌粉、铱粉的平均粒径值为0.8μm -4μm。

4.根据权利要求1所述的一种中高温厚膜电路导体浆料，其特征在于：所述有机载体中的树脂为聚乙烯缩丁醛、丙烯酸甲酯、聚α一甲基苯乙烯中的一种或者至少两种所组成的混合物。

5.根据权利要求1所述的一种中高温厚膜电路导体浆料，其特征在于：所述有机载体中的溶剂为环己酮、松油醇、己二酸二甲酯、二乙二酸乙醚醋酸酯、二乙二酸丁醚醋酸酯、异氟尔酮中的一种或者至少两种所组成的混合物。

6.根据权利要求1所述的一种中高温厚膜电路导体浆料，其特征在于：所述玻璃粉无机粘结相中Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃七种物料的重量份依次为：50%-55%、30%-40%、1%-3% 、2%-3%、2%-5%、1%-3%、2%-4%。

7.根据权利要求1所述的一种中高温厚膜电路导体浆料，其特征在于：所述助剂为炭黑添加剂、气相二氧化硅、BYK019消泡剂、BYK333流平剂中的一种或者至少两种所组成的混合物。

8.根据权利要求1所述的一种中高温厚膜电路导体浆料，其特征在于：该导体浆料的细度为1μm -5μm，粘度为 300 dPa·s -400dPa·s，方阻为5 mΩ/□-15mΩ/□。

9.根据权利要求1所述的一种中高温厚膜电路导体浆料，其特征在于：该导体浆料应用于铝基板的厚膜导体电路。

10.一种中高温厚膜电路导体浆料的制备方法，其特征在于，包括有以下工艺步骤，具体为：

a、制备玻璃粉无机粘结相：称取Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃，并将称取好的Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃置于混料机中进行搅拌混合；待Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃所组成的玻璃粉混合料混匀后，将玻璃粉混合料装入石墨坩埚中，并将装有玻璃粉混合料的石墨坩埚放入至高温炉中，以对玻璃粉混合料进行熔炼处理，熔炼温度为1200-1500℃，熔炼时间2-4小时；待玻璃粉混合料熔炼完成后，将溶化后的玻璃液进行淬火并形成玻璃渣，而后将玻璃渣装入至球磨罐中进行球磨处理，球磨时间为10-15小时，以获得粒径值小于 5μm 的玻璃粉无机粘结相，而后对玻璃粉无机粘结相进行真空烘干处理，玻璃粉无机粘结相中Bi₂O₃、SiO₂ 、Al₂O₃、ZnO、CuO、ZrO₂、B₂O₃七种物料的重量份依次为：50%-55%、30%-40%、1%-3% 、2%-3%、2%-5%、1%-3%、2%-4%；

b、制备有机载体：将树脂置于溶剂中，并于40-70℃温度下溶解完全，以获得透明有机载体；

c、制备导体浆料：称取导电相粉末、有机载体、玻璃粉无机粘结相、助剂，并将称取好的导电相粉末、有机载体、玻璃粉无机粘结相、助剂置于三辊研磨机中进行研磨处理，研磨处理后获得细度小于5μm、粘度为300-400dPa·s的导体浆料；而后将研磨处理后的导体浆料通过600-800目的网孔过滤两次，最后通过脱泡机进行脱泡处理2-5分钟，以完成导体浆料制备，导体浆料中导电相粉末、有机载体、玻璃粉无机粘结相、助剂四种物料的重量份依次为：70%-80%、10%-20%、2%-8%、2%-5%。