[发明专利]一种图像传感器性能的替换方法有效
申请号: | 201611117546.0 | 申请日: | 2016-12-07 |
公开(公告)号: | CN106603943B | 公开(公告)日: | 2019-08-20 |
发明(设计)人: | 李琛;皮常明;任铮;张远;顾学强 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司 |
主分类号: | H04N5/374 | 分类号: | H04N5/374 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;尹英 |
地址: | 201210 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 图像传感器 性能 替换 方法 | ||
本发明提供了一种图像传感器性能的检测方法,包括:获取图像传感器的量子效率、实际像素达到饱和输出时等效至单位面积的图像质量分辨率、饱和输出电压和达到饱和输出时所需的曝光时间;建立本征感光效率与量子效率、实际像素达到饱和输出时等效至单位面积的图像质量分辨率、饱和输出电压、以及达到饱和输出时所需的曝光时间的本征感光效率关系式,其中,本征感光效率与量子效率呈正比,与实际像素达到饱和输出时等效至单位面积的图像质量分辨率呈正比,与饱和输出电压呈正比,与达到饱和输出时所需的曝光时间呈反比;根据本征感光效率关系式,评价图像传感器的性能。本发明利用本征感光效率把CMOS图像传感器的各种参数统一起来。
技术领域
本发明涉及图像传感器技术领域,具体涉及一种图像传感器性能的替换方法。
背景技术
图像传感器芯片是电子设备获取信息的“眼睛”,已成为电子终端产品不可或缺的标准配置。据市场调研公司的“CMOS图像传感器产业状况”报告显示,2020年CMOS图像传感器(CIS)市场的营业收入将增长到160亿美元,复合年均增长率超过11%,CMOS图像传感器已然成为图像传感器乃至集成电路领域备受注目的产品。随着CMOS图像传感器技术的发展,未来CIS市场将在消费类电子、可穿戴设备、监控安防、人工智能等领域得到进一步的应用和持续的增长。
CMOS图像传感器种类繁多,从像素分辨率来分,有30万、100万、500万、1200万等,从芯片尺寸来分,有1/6英寸、1/4英寸、1/2英寸、APS-C等。此外,还有很多参数衡量图像传感器的像素质量或者图像质量,如表一所示:
表一
但是,由于参数繁多且专业性强,一般人很难通过参数分辨一款CMOS图像传感器的质量。而且目前也很少有一个指标可以把林林总总各种参数统一起来。
发明内容
为了克服以上问题,本发明旨在提供一种图像传感器性能的替换方法,从而方便用户横向替换CMOS图像传感器的质量。
为了达到上述目的,本发明提供了一种图像传感器性能的检测方法,其包括:
步骤01:获取图像传感器的量子效率、实际像素达到饱和输出时等效至单位面积的图像质量分辨率、饱和输出电压和达到饱和输出时所需的曝光时间;
步骤02:建立本征感光效率与量子效率、实际像素达到饱和输出时等效至单位面积的图像质量分辨率、饱和输出电压、以及达到饱和输出时所需的曝光时间的本征感光效率关系式,其中,本征感光效率与量子效率呈正比,与实际像素达到饱和输出时等效至单位面积的图像质量分辨率呈正比,与饱和输出电压呈正比,与达到饱和输出时所需的曝光时间呈反比;
步骤03:根据所述本征感光效率关系式,评价所述图像传感器的性能。
优选地,本征感光效率关系式为:E=h·QE·log10(n·Vmax/t),其中,E表示本征感光效率,是用以调整公式的量纲,h是光子,QE是量子效率,n是实际像素达到饱和输出时等效至单位面积的图像质量分辨率,Vmax为饱和输出电压,t为达到饱和输出时所需的曝光时间。
优选地,所述n的获得采用如下过程:首先,利用待检测的CMOS图像传感器拍摄标准分辨率卡,分辨率卡上各种横线、竖线都被图像传感器拍摄到,然后采用预先设定的标准分辨率作为参考,对各种横线、竖线进行比较分析,得到每条横线或竖线对应的分辨率,从而得到整个图像的图像质量分辨率。
本发明的本征感光效率E可以把CMOS图像传感器的各种参数统一起来,方便用户替换一款CMOS图像传感器的质量。
附图说明
图1为本发明的一个较佳实施例的图像传感器性能的检测方法的流程示意图
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