[发明专利]一种RIE制绒的黑硅电池的制备方法

权利要求书

1.一种RIE制绒的黑硅电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1，去除黑硅片的正表面损伤层，以及对黑硅片的背面进行抛光处理；

步骤S2，对所述黑硅片的表面进行磷源扩散，制备PN结；

步骤S3，对所述黑硅片进行清洗、RIE制绒，在黑硅片的正表面形成纳米绒面；

步骤S4，对所述黑硅片的纳米绒面进行修复，以去除纳米绒面形成过程中的损失层；

步骤S5，对所述黑硅片的正表面积淀上减反射膜；

步骤S6，对所述黑硅片的背面分别印刷背银、铝浆后烘干，然后在其正表面印刷正银后烧结，即可得到黑硅电池。

2.如权利要求1所述的黑硅电池的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中采用湿法清洗方法，使用成分为HF:HNO3：H2SO4：H2O=1:8:10:5的混酸对黑硅片的背面和侧面进行刻蚀，以实现对步骤S2中因磷源扩散造成的黑硅片侧面和背面的PN结的刻蚀，再使用5%浓度的HF去除黑硅片正表面的磷硅玻璃层，后烘干。

3.如权利要求1所述的黑硅电池的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中采用干法清洗方法，使用成分为CF4和H2组成的混合气体等离子体对黑硅片的侧面进行刻蚀，以实现对步骤S2中因磷源扩散造成的黑硅片侧面的PN结的刻蚀。

4.如权利要求2或3所述的黑硅电池的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中RIE制绒是采用SF6/O2/Cl2混合气体等离子体对所述黑硅片的正表面进行反应离子刻蚀；刻蚀时间为5 ~ 10min，在黑硅片的正表面形成纳米绒面的微结构大小为200 ~ 500nm，反射率为5 ~15%。

5.如权利要求4所述的黑硅电池的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中采用混酸处理法或碱处理法去除黑硅片的正表面的损伤层，以及对黑硅片的背面进行抛光处理；其中

混酸处理法采用成分为HF/HNO3/H2O的混酸；

碱处理法采用KOH溶液。

6.如权利要求5所述的黑硅电池的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中扩散温度为760 ~ 850℃，扩散方阻为70 ~ 90Ω/□。

7.如权利要求6所述的黑硅电池的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中采用成分为BOE/H2O2/H2O的混合药液去除损失层；然后使用成分为HF/HCl/H2O的混酸对黑硅片的表面进行清洗，以去除黑硅片表面的氧化层或金属杂质。

8.如权利要求7所述的黑硅电池的制备方法，其特征在于，所述步骤S5中的减反射膜为SiNx薄膜，其厚度为70 ~ 85nm，折射率为2.05 ~ 2.15。

9.如权利要求8所述的黑硅电池的制备方法，其特征在于，所述步骤S6中采用丝网印刷法对所述黑硅片的正面和反面进行印刷；以及

所述黑硅片的背面的背银的银浆湿重为0.2-0.5g，铝浆湿重为1.1g-1.5g；

所述黑硅片的正表面的正银的细栅银浆湿重0.78g-1.5g。

10.如权利要求9所述的黑硅电池的制备方法，其特征在于，所述步骤S6中烧结时采用的烧结炉的烧结区域的最高温温区的温度为760 ~ 860℃。