[发明专利]一种金属碳酸盐‑CNB复合光催化剂及其制备方法在审
申请号: | 201611066881.2 | 申请日: | 2016-11-25 |
公开(公告)号: | CN106732716A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 李慧泉;崔玉民;苗慧;陶栋梁 | 申请(专利权)人: | 阜阳师范学院 |
主分类号: | B01J27/24 | 分类号: | B01J27/24;C02F1/30;C02F101/38 |
代理公司: | 北京康思博达知识产权代理事务所(普通合伙)11426 | 代理人: | 刘冬梅,路永斌 |
地址: | 236037 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 金属 碳酸盐 cnb 复合 光催化剂 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及光催化领域,特别涉及一种金属碳酸盐-CNB复合光催化剂及其制备方法。
背景技术
石墨相氮化碳(简称g-C3N4)以其光催化活性较高、稳定性好、原料价格便宜、使它成为一种新型的光催化材料,然而,单一相催化剂通常因量子效率低而使其光催化性能表现不够理想。g-C3N4材料光生电子-空穴复合率较高,导致其催化效率较低,从而限制了它在光催化方面的应用。
为了提高g-C3N4的催化活性,最近几年来,人们研究了很多改性方法。目前,通常使用非金属元素对g-C3N4进行改性,用于改性的非金属元素主要包括S、B、F、P等,一般认为这些非金属元素取代了3-s-三嗪结构单元中的C、N、H元素,从而形成g-C3N4晶格缺陷使得光生电子-空穴对得到有效分离,有效提高其光催化性能。
Zhang等将双氰胺与BmimPF6(离子液体)混合,经过高温煅烧后得到P掺杂g-C3N4催化剂,经XPS分析表明P元素取代了结构单元中C,少量P掺杂虽然不能改变g-C3N4的骨架结构,但是,其明显改变了g-C3N4的电子结构,光生电流也明显高于没掺杂g-C3N4。
Yan等采用加热分解三聚氰胺与氧化硼的混合物制备了B掺杂g-C3N4,经过XPS光谱分析表明B取代了g-C3N4结构中的H,光催化降解染料研究表明B掺杂同时提高了催化剂对光的吸收,因此,其对罗丹明B光催化降解效率也得到提高。
Liu等将g-C3N4在H2S气氛里于450℃煅烧制备了具有独特电子结构S元素掺杂g-C3N4的CNS催化剂,XPS分析显示S取代了g-C3N4结构中N。当λ>300及420nm时S掺杂g-C3N4光催化分解水产氢催化效率分别比单一g-C3N4提高7.2和8.0倍。
Wang等报道了B、F掺杂g-C3N4研究,他们用NH4F作为F源与DCDA制得F元素掺杂g-C3N4催化剂(CNF)。其研究结果表明F元素已掺入g-C3N4的骨架中,形成了C—F键,使其中一部分sp2C转化为sp3C,从而导致g-C3N4平面结构不规整。另外,随着F元素掺杂数量增多,CNF在可见光区域内的吸收范围也随之扩大,而其对应的带隙能由2.69eV降到2.63eV。
用BH3NH3作为硼源制备B元素掺杂的g-C3N4催化剂(CNB),对其表征发现B元素掺入取代了g-C3N4结构单元中的C元素。
Lin等采用四苯硼钠作为B源,在掺入B的同时,又因苯离去基团的作用使得g-C3N4形成薄层结构,其层的厚度为2~5nm,降低了光生电子到达催化剂表面所需要消耗的能量,因此提高光催化效率。
然而,目前尚不存在金属碳酸盐和非金属元素双掺杂的石墨相g-C3N4的研究。
发明内容
为了解决上述问题,本发明人进行了锐意研究,结果发现:首先制备硼掺杂的石墨相氮化碳,即CNB,再在制得的CNB表面吸附金属离子,最后向吸附有金属离子的CNB中加入碳酸根,从而在CNB表面直接生成不溶性金属碳酸盐,使CNB与金属碳酸盐形成良好的复合物,而且避免了固相复合操作,制得的复合光催化剂对有机染料具有良好的光催化降解作用,从而完成了本发明。
本发明的目的在于提供以下方面:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于阜阳师范学院,未经阜阳师范学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611066881.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。