[发明专利]光波导

说明书

本发明实施例提供了一种光波导，包括：依次堆叠的衬底(01)、埋氧层(02)、波导层(06)、包层(03)和防潮层(05)；所述防潮层(05)覆盖所述包层(03)表面上的至少部分区域，所述至少部分区域包括与所述波导层(06)正对的区域。本发明实施例的光波导，通过在包层表面设置防潮层，能够提高光波导的防潮性能，以减少湿度变化对该光波导的模场分布和模场大小的影响。

技术领域

本发明涉及光通信领域，尤其涉及一种光波导。

背景技术

硅光技术是以绝缘体上硅(Silicon-on-insulator，SOI)作为基础材料，利用互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)工艺进行制作光芯片，实现光电信号转化的技术。如图1所示，SOI由衬底(Substrate)、埋氧层(BuriedOxide，Box)和波导层(Waveguide layer)构成，其中衬底的材料为Si，埋氧层的材料为SiO₂，波导层的材料为Si。由于SiO₂的折射率比较小(约为1.44)，而Si的折射率很大(约为3.47)，因此SOI波导的折射率差很大，对光的限制很强，其波导可以尺寸很小，典型的波导尺寸是400nm×220nm。

现有方案中，通常还会在SOI波导的波导层上设置包层，包层一般采用SiO₂材料，由于在该SOI波导所处环境的湿度变化的情况下，SiO₂材料的折射率会发生改变，相应的，采用该SiO₂材料的包层的折射率也会发生改变，进而导致光波导的模场分布和模场大小发生变化。

发明内容

本发明提供了一种光波导，用于在该光波导所处环境的湿度变化的情况下，减小该光波导的模场分布和模场大小的变化幅度，以减少湿度变化对该光波导的模场分布和模场大小的影响。

第一方面，提供了一种光波导，包括：

依次堆叠的衬底(01)、埋氧层(02)、波导层(06)、包层(03)和防潮层(05)；

所述防潮层(05)覆盖所述包层(03)表面上的至少部分区域，所述至少部分区域包括与所述波导层(06)正对的区域。

本发明实施例的光波导，通过在包层表面设置防潮层，能够提高光波导的防潮性能，以减少该光波导所处环境的湿度变化对该光波导的模场分布和模场大小的影响。

在一些可能的实现方式中，所述埋氧层(02)覆盖所述衬底(01)的第一表面的至少部分区域，所述波导层(06)覆盖所述埋氧层(02)的第一表面的第一区域，所述包层(03)覆盖所述埋氧层(02)的第一表面上除所述第一区域之外的至少部分区域和所述波导层(06)，

其中，所述衬底(01)的第一表面为所述衬底(01)上靠近所述埋氧层(02)的一侧的表面，所述埋氧层(02)的第一表面为所述埋氧层(02)上远离所述衬底(01)的一侧的表面。

在一些可能的实施方式中，所述埋氧层(02)覆盖所述衬底(01)的第一表面，所述埋氧层(02)的第一表面上除所述第一区域之外的区域包括第二区域、第三区域、第四区域和第五区域，所述第二区域与所述第三区域之间间隔所述第五区域，所述第三区域和第四区域均与所述第一区域相邻，所述第三区域位于所述第一区域的一侧，所述第四区域位于所述第一区域的另一侧；

所述包层(03)包括第一包层(031)和第二包层(032)，所述第一包层(031)覆盖所述第二区域，所述第二包层(032)覆盖所述第三区域、所述波导层(06)和所述第四区域；

所述防潮层(05)覆盖所述第一包层(031)的第一表面的至少部分区域、所述第二包层(032)的第一表面、所述第一包层(031)上靠近所述第二包层(032)的侧壁、所述第二包层(032)上靠近所述一包层(031)的侧壁以及所述第五区域，