[发明专利]一种PERC太阳能电池结构及其制备工艺

权利要求书

1.一种PERC太阳能电池结构的制备工艺，其特征是， 所述PERC太阳能电池结构的制备工艺包括如下步骤：

(1)硅片在碱性或者酸性溶液中制绒后，清洗，烘干，绒面尺寸控制在5um以内；

(2)扩散炉中进行高温磷扩散，扩散方阻在60-120Ω/口之间，表面浓度在10¹⁹-10²²atom/cm³之间，结深控制在200-800nm之间，进行湿法刻蚀和清洗；

(3)扩散炉中进行氧化掺杂，氧化温度在600-900℃之间，时间在10-60min，同时通入POCl₃进行掺杂，控制表面浓度，掺入杂质类型与发射结相同，掺杂温度在600-900℃之间，时间为60-300s之间，掺杂后表面浓度控制在10²⁰-10²²atom/cm³之间，结深控制在300-900nm之间；

(4)正面镀膜：通过PECVD沉积减反层，并控制折射率和膜厚；

(5)背面刻蚀和清洗，去除氧化掺杂过程中引入的边结/背结，同时清洗背面；

(6)双面同时沉积AlOx层，折射率1.6-1.65，膜厚3-30nm；

(7)退火，背面SiNx层沉积，折射率1.9-2.4，膜厚80-200nm；

(8)激光开窗，制备背面局部接触图案；

(9)丝网印刷及高温烧结。

2.根据权利要求1所述的一种PERC太阳能电池结构的制备工艺，其特征是，在步骤(1)中，所述的硅片为单晶电池片或者多晶电池片；在步骤(4)中，通过PECVD依次沉积SiNx层、SiNy层和SiOxNy层，其中：控制的折射率依次为2.0-2.3、1.8-2.0和1.7-1.9，控制的膜厚依次为5-20nm、20-40nm和30-50nm。

3.根据权利要求1所述的一种PERC太阳能电池结构的制备工艺，其特征是，在步骤(1)中，所述的硅片为单晶电池片或者多晶电池片；在步骤(4)中，通过PECVD依次沉积SiNx层、SiOxNy层和SiOx层，其中：控制的折射率依次为1.9-2.2、1.6-1.9和1.4-1.6，控制的膜厚依次为5-20nm、20-40nm和30-50nm。

4.根据权利要求1所述的一种PERC太阳能电池结构的制备工艺，其特征是，

步骤(5)中采用等离子体或者激光方式进行刻边。

5.根据权利要求4所述的一种PERC太阳能电池结构的制备工艺，其特征是，在步骤(4)之后，直接进入到步骤(6)，并在步骤(9)之后，增加一个工艺，具体为：采用等离子体或者激光方式进行刻边。

6.一种如权利要求1所述的工艺制备的PERC太阳能电池结构，其特征是，包括电池片本体，所述电池片本体(4)的正面依次沉积/生长有正SiO₂层(3)、减反层(2)和正AlOx层(1)，所述电池片本体(4)的背面依次沉积有背AlOx层(5)和SiNx层(6)。

7.根据权利要求6所述的PERC太阳能电池结构，其特征是，所述减反层(2)的结构为SiNx/SiNy/SiOxNy与SiNx/SiOxNy/SiOx中的其中一种；所述电池片本体(4)的背面与背AlOx层(5)之间还沉积/生长有背SiO₂层(7)。