[发明专利]梯度合金量子点的制备及该量子点在QLED器件的应用

说明书

本发明的目的在于提供一种梯度合金量子点的制备及其该量子点在QLED器件的应用，目前量子点的制备可分为有机相合成和水相合成，水相合成温度较低，周期较短而其弊端亦是显而易见的，荧光寿命短，量子点产率低，杂质多等等，而目前高产率，荧光寿命长的量子点主要是通过油相合成。我们研发一种高效的梯度合金量子点制备方法。成功梯度合成合金量子点，具有荧光寿命长，半峰宽窄，绝对产率高等等特点的优质的梯度合金量子点并在QLED器件的应用。本发明的优点是：梯度合金量子点制备技术稳定，有机相合成量子产率高、量子点粒径更小。所制备的QLED易组装成本低且具有宽的吸收光谱和高的光电转换效率，具有比较高的开发价值。

技术领域

本发明涉及梯度合金量子点的制备，具体涉及锰离子和铜离子优化梯度合金量子点的制备及该量子点在QLED器件的应用。

背景技术

目前量子点热正在席卷世界，其全波段可协调发光，半峰宽窄，生物相容性好等等优点吸引着人们对其研究的不断深入。目前量子点的制备可分为有机相合成和水相合成，水相合成温度较低，周期较短而其弊端亦是显而易见的，荧光寿命短，量子点产率低，杂质多等等，而目前高产率，荧光寿命长的量子点主要是通过油相合成。我们研发一种高效的梯度合金量子点制备方法。成功梯度合成合金量子点，具有荧光寿命长，半峰宽窄，绝对产率高等等特点的优质的梯度合金量子点并在QLED器件的应用。本发明的优点是：梯度合金量子点制备技术稳定，有机相合成量子产率高、量子点粒径更小。所制备的QLED易组装成本低且具有宽的吸收光谱和高的光电转换效率，具有比较高的开发价值。

发明内容

本发明的目的在于提供梯度合金量子点的制备及该量子点在QLED器件的应用，量子点独特的量子尺寸效应、宏观量子隧道效应、量子尺寸效应和表面效应使其展现出出色的物理性质,尤其是其光学性能。相对于有机荧光染料,胶体法制备的量子点具有光谱可调,发光强度大、色纯度高、荧光寿命长,单光源可激发多色荧光等优势。此外,QLED的寿命长,封装工艺简单。

本发明采用如下的技术方案，一种锰离子优化梯度合金量子点的制备，其特征是方法步骤如下：

（1）以醋酸锌作为量子点制备锌前驱体，氧化镉作为量子点制备镉前驱体，以S，1-十八烯制备成S源，以硒粉制备的三丁基膦硒化膦作为硒前驱体，以1-十八烯为稳定剂，油酸作为溶剂反应剂和配体得油溶性梯度合金量子点。乙腈促使量子点沉淀，离心分离提纯；

（2）硒源：锌源：镉源：Mn2+=1:5：0.5：0.05的摩尔比反应，S的量不定，可制得可见光波段所有类型的量子点，此时量子点含有杂质未反应的硒源杂质，过量的锌源等等，加入过量丙酮乙腈等促使量子点沉淀离心分离得固体粉末，加入三氯甲烷溶解再加过量丙酮沉淀，反复两次得到纯净的梯度合金量子点粉末；

(3)采用有机相合成成功制备了胶体量子点CdS/ZnSe梯度量子点并成功对其进行包覆,制备出了CdS/ZnSe梯度量子点,包覆后荧光性能得到明显改善；通过改变合成工艺参数在很宽的范围内实现了发光光谱的调控；所合成的CdS/ZnSe梯度量子点荧光量子产率达90%,；量子点粒径分布均匀,荧光半峰宽为17～30nm,并能维持优异的光纯度和光亮度。

一种铜离子优化梯度合金量子点的制备，其特征是方法步骤如下：

（1）以醋酸锌作为量子点制备锌前驱体，氧化镉作为量子点制备镉前驱体，以S，1-十八烯制备成S源，以硒粉制备的三丁基膦硒化膦作为硒前驱体，以1-十八烯为稳定剂，油酸作为溶剂反应剂和配体得油溶性梯度合金量子点。乙腈促使量子点沉淀，离心分离提纯；

（2）硒源：锌源：镉源：Cu2+=1:5：0.5：0.05的摩尔比反应，S的量不定，可制得可见光波段所有类型的量子点，此时量子点含有杂质未反应的硒源杂质，过量的锌源等等，加入过量丙酮乙腈等促使量子点沉淀离心分离得固体粉末，加入三氯甲烷溶解再加过量丙酮沉淀，反复两次得到纯净的梯度合金量子点粉末；