[发明专利]晶圆承载膜

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制作技术领域，特别涉及一种晶圆承载膜。

背景技术

目前，随着电子设备的广泛应用，半导体的制造工艺得到了飞速的发展，在半导体的制造流程中，涉及化学机械研磨工艺(CMP)。晶圆(wafer)的平坦化制作工艺都是依赖化学机械研磨机台来完成，现有技术中化学机械研磨机台包括三个研磨台和一个晶圆承载基座。将晶圆放置到晶圆承载基座的晶圆承载膜上，晶圆正面与晶圆承载膜接触，通过旋转研磨头的位置，将研磨头正对于晶圆承载基座上的晶圆，将晶圆吸附到研磨头上，然后选择研磨台进行晶圆的化学机械研磨。

现有技术中晶圆承载膜是由橡胶材料制成，但是使用寿命只有两天左右，所以每次保养时都需要更换晶圆承载膜。

发明内容

有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种晶圆承载膜，该晶圆承载膜使用寿命有效提高。

为达到上述目的，本发明的技术方案具体是这样实现的：

本发明公开了一种晶圆承载膜，位于晶圆承载基座上，用于承载晶圆，所述晶圆承载膜包括两层，与晶圆承载基座接触的第一层为聚乙烯醇，与晶圆接触的第二层为海绵体。

所述海绵体具有多孔结构。

所述海绵体为聚氨酯。

由上述的技术方案可见，本发明提供的一种晶圆承载膜，位于晶圆承载基 座上，用于承载晶圆，所述晶圆承载膜包括两层，其中，与晶圆承载基座接触的第一层为聚乙烯醇，具有强力粘接性，可以很好地与晶圆承载基座表面保持稳固和长期的粘贴性，有效地提高了晶圆承载膜的使用寿命。另外，与晶圆接触的第二层为海绵体，海绵体能够吸收液体并保持长时间的湿润状态，如此，晶圆与海绵体接触后可以和外界空气完全隔离，有效减少了颗粒和其他污染物的产生。

附图说明

图1为基座的膜上承载有晶圆的示意图。

图2为本发明实施例晶圆承载膜的切面示意图。

图3为本发明实施例晶圆承载膜的俯视图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案、及优点更加清楚明白，以下参照附图并举实施例，对本发明进一步详细说明。

在本文中，“示意性”表示“充当实例、例子或说明”，不应将在本文中被描述为“示意性”的任何图示、实施方式解释为一种更优选的或更具优点的技术方案。

为使图面简洁，各图中的只示意性地表示出了与本发明相关部分，而并不代表其作为产品的实际结构。另外，以使图面简洁便于理解，在有些图中具有相同结构或功能的部件，仅示意性地绘示了其中的一个，或仅标出了其中的一个。

在本文中，“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等仅用于表示相关部分之间的相对位置关系，而非限定这些相关部分的绝对位置。

在本文中，“第一”、“第二”等仅用于彼此的区分，而非表示重要程度及顺序、以及互为存在的前提等。

现有技术中晶圆承载膜由橡胶材料构成，与晶圆承载基座的粘贴性不 够，容易滑落，因而影响晶圆承载膜的使用寿命。因此，本发明为了提高晶圆承载膜的使用寿命，采用了由上下两层材料构成的晶圆承载膜，其中，与晶圆承载基座接触的第一层为聚乙烯醇(polyvinyl alcohol，PVA)，与晶圆接触的第二层为海绵体。图1为基座的膜上承载有晶圆的示意图。晶圆承载膜2位于晶圆承载基座1上，晶圆承载膜2承载晶圆3，晶圆3正面与晶圆承载膜2接触。后续通过旋转研磨头的位置，将研磨头正对于晶圆承载基座上的晶圆，将晶圆吸附到研磨头上，然后选择研磨台进行晶圆的化学机械研磨。

图2为本发明实施例晶圆承载膜的切面示意图。该晶圆承载膜包括两层，其中，与晶圆承载基座接触的第一层101为聚乙烯醇，外观为白色粉末，是一种用途相当广泛的水溶性高分子聚合物，性能介于塑料和橡胶之间，它的用途可分为纤维和非纤维两大用途。聚乙烯醇具有强力粘接性，可以很好地与晶圆承载基座表面保持稳固和长期的粘贴性，有效地提高了晶圆承载膜的使用寿命。还有，聚乙烯醇材料还具有更高的皮膜柔韧性、平滑性、耐油性、耐溶剂性、保护胶体性、气体阻绝性、耐磨性以及经特殊处理具有的耐水性，因此使用寿命相比于橡胶要高很多。