[发明专利]数据写入方法、存储控制器、计算设备以及存储装置

说明书

本发明实施例公开了一种数据写入方法，用于提升NVM的使用性能。本发明提供的方法包括：接收目标数据，若目标数据中携带有期望保持时长，则查找该期望保持时长对应的写入条件，并按照该对应的写入条件将目标数据写入NVM中，使得目标数据在NVM中的真实保持时长能够非常接近该期望保持时长。由于期望保持时长由主机系统在应用层面确定，因此更为贴近应用的实际需要。目标数据在NVM中保存达到了期望保持时长后可以直接删除，无需再进行刷新。这样就减少了存储控制器刷新NVM的次数，降低了存储控制器和NVM的能耗，提升了NVM的使用性能。本发明还提供了相关的存储控制器以及计算设备。

技术领域

本发明涉及存储领域，尤其涉及一种数据写入方法、存储控制器、计算设备以及存储装置。

背景技术

以固态硬盘(英文：solid state disk，缩写：SSD)为代表的非易失性存储介质(英文：non-volatile memory，缩写：NVM)在断电之后，其中的数据仍可以长时间保持，具体可以保持数周、数月甚至数年。NVM的数据保持时长、使用寿命和编程速度三个指标之间存在一定的权衡。一般的，NVM的数据保持时长越短，NVM的使用寿命越长，编程速度也越快。

数据在NVM中的保持时长可以通过写数据的电流或电压来调节。例如SSD的数据保持时长可以通过数据写入SSD时的阈值电压以及步进编程电压来调节，一些新型的NVM的数据保持时长也可以通过写电流或写时间长度来调节。现阶段的技术一般使用小电压或小电流将数据写入NVM，以求通过缩短数据保持时长来加快NVM的编程速度，延长NVM的使用寿命。

但是现阶段的NVM的数据保持时长一般都设置得较短，故在达到数据保持时长后，NVM又不得不借助内部数据刷新等措施来防止数据丢失。频繁的数据刷新增加了NVM的负担和能耗，严重影响了NVM的使用性能。

发明内容

本发明提供了一种数据写入方法，用于提升存储控制器和NVM的使用性能。

本发明第一方面提供了一种数据写入方法，其中，存储控制器从主机系统处接收待写入的目标数据。若目标数据中携带有主机系统指定的期望保持时长，则存储控制器查找期望保持时长对应的写入条件，该写入条件可以包括将目标数据写入NVM介质的阈值电压、步进电压、写电流、写时间长度等参数中的一项或多项。存储控制器按照期望保持时长对应的写入条件，将目标数据写入NVM中，使得目标数据在NVM中的实际保持时长接近等于该期望保持时长。由于主机系统确定的期望保持时长能够贴近应用的真实需要，故则目标数据在NVM中的保持时长超过期望保持时长后，可以直接删除，而不对目标数据进行刷新。这样就能够减少存储控制器刷新NVM的操作，在尽可能地不减少NVM的使用寿命的前提下降低了存储控制器和NVM的能耗，提升了存储控制器和NVM的使用性能。

可选的，若目标数据中未携带期望保持时长，则存储控制器先预测得到目标数据的期望保持时长，再根据预测得到的期望保持时长，执行确定期望保持时长对应的写入条件的步骤。

可选的，若期望保持时间携带在目标数据中，则若目标数据在NVM中的实际保持时长已经达到了期望保持时长，存储控制器不刷新目标数据，而可以直接将目标数据删除。这样就能够减少存储控制器刷新NVM的操作，提升了存储控制器和NVM的使用性能。若期望保持时长由存储控制器预测得到，则待目标数据在NVM中的实际保持时长达到期望保持时长后，存储控制器刷新NVM中的目标数据，以避免目标数据在未失效之前就丢失。