[发明专利]环形振荡电路在审

专利信息
申请号: 201610318175.6 申请日: 2016-05-13
公开(公告)号: CN107370473A 公开(公告)日: 2017-11-21
发明(设计)人: 荀本鹏;徐丽;郭萌萌;唐华;邓志兵 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: H03K3/03 分类号: H03K3/03
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 潘彦君,吴敏
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 环形 振荡 电路
【权利要求书】:

1.一种环形振荡电路,其特征在于,包括:电流源电路单元、镜像电流控制单元以及振荡电路单元,其中:

所述电流源电路单元,适于为所述振荡电路单元提供镜像电流;

所述镜像电流控制单元,与所述电流源电路单元耦接,适于控制所述镜像电流的大小与所述振荡电路单元中的NMOS管的阈值电压相关;

所述振荡电路单元,与所述电流源电路单元耦接,包括N个首尾相连组成环状的振荡子单元,N为奇数且N≥3。

2.如权利要求1所述的环形振荡电路,其特征在于,还包括:镜像电流调整单元,与所述镜像电流控制单元耦接,适于对所述镜像电流进行调整,使得所述镜像电流的大小与所述振荡电路单元中的NMOS管的迁移率相关。

3.如权利要求2所述的环形振荡电路,其特征在于,所述镜像电流控制单元包括:第一NMOS管,所述第一NMOS管的漏极与所述电流源电路单元耦接,栅极与漏极耦接,源极与地线耦接。

4.如权利要求3所述的环形振荡电路,其特征在于,所述镜像电流调整单元包括:第二NMOS管,源极与地线耦接,栅极与所述第一NMOS管的栅极耦接,漏接与所述第一NMOS管的源极耦接。

5.如权利要求4所述的环形振荡电路,其特征在于,所述电流源电路单元包括:第一PMOS管、第二PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管以及负载电阻,其中:

所述第一PMOS管,源极与预设电压源耦接,栅极与所述第二PMOS管的栅极耦接,漏极与所述第三NMOS管的漏极耦接;

所述第二PMOS管,源极与所述预设电压源耦接,栅极与漏极耦接且耦接端作为所述电流源电路单元的镜像电流输出端,漏极与所述第四NMOS管的漏极耦接;

所述第三NMOS管,源极与耦接,栅极与漏极耦接;

所述第四NMOS管,源极与所述负载电阻的第一端耦接,栅极与所述第三NMOS管的栅极耦接;

所述负载电阻的第二端与地线耦接。

6.如权利要求4所述的环形振荡电路,其特征在于,N=3。

7.如权利要求6所述的环形振荡电路,其特征在于,3个振荡子单元均为单边电流源。

8.如权利要求7所述的环形振荡电路,其特征在于,每一个振荡子单元中均包括:第三PMOS管、第五NMOS管以及负载电容,其中:

所述第三PMOS管,源极与预设电压源耦接,栅极与所述电流源电路单元的镜像电流输出端耦接,漏极与所述第五NMOS管的漏接耦接;

所述第五NMOS管,源极与地线耦接,栅极与前一级振荡子单元中的第五NMOS管的漏极耦接,漏极与后一级振荡子单元中的第五NMOS管的栅极耦接;

所述负载电容,第一端与所述第五NMOS管的漏极耦接,第二端与地线耦接。

9.如权利要求8所述的环形振荡电路,其特征在于,所述第一NMOS管、所述第二NMOS管以及所述第五NMOS管为相同的NMOS管。

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