[发明专利]加宽输入输出内存的硅穿孔测试装置在审
申请号: | 201610277627.0 | 申请日: | 2016-04-29 |
公开(公告)号: | CN107331631A | 公开(公告)日: | 2017-11-07 |
发明(设计)人: | 叶志晖 | 申请(专利权)人: | 力成科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 马雯雯,臧建明 |
地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加宽 输入输出 内存 穿孔 测试 装置 | ||
1.一种加宽输入输出内存的硅穿孔测试装置,其特征在于,用以测试至少一待测硅穿孔装置,该待测硅穿孔装置包含多个第一通道,该硅穿孔菊炼测试装置包含:
一测试头,具有多个输入输出接脚与至少一第一驱动接脚;以及
一转换接口,包含一信号传输板与一插座板,该信号传输板具有多个输入输出线路与至少一第一驱动线路,该插座板具有多个第一数据接点、多个第二数据接点与至少一第一驱动接点,该插座板还具有多个鱼骨型线路组合,每一鱼骨型线路组合包含一主线路、多个第一支线路以及多个第二支线路,该多个第一支线路由该主线路连接至对应的该多个第一数据接点,该多个第二支线路由该主线路连接至对应的该多个第二数据接点,并且该多个输入输出线路连接对应的输入输出接脚与对应的该多个鱼骨型线路组合的该多个主线路,该第一驱动线路连接对应的该第一驱动接脚与对应的该第一驱动接点;
其中,该插座板还具有多个第一菊炼结构,该多个第一菊炼结构由该第一驱动接点对应地断离,用以串接该多个第一信道的相同驱动脚位;
其中,当该待测硅穿孔装置装载于该插座板上,该多个第一信道的相同驱动脚位依序地以该多个第一菊炼结构串联成组,该多个第一菊炼结构的串联启始点包含该第一驱动接点。
2.根据权利要求1所述的加宽输入输出内存的硅穿孔测试装置,其特征在于,其中该多个第一数据接点与该多个第二数据接点为沟通于每一第一信道的不同数据脚位定义。
3.根据权利要求2所述的加宽输入输出内存的硅穿孔测试装置,其特征在于,其中该插座板另具有多个第一终止电阻与至少一第二终止电阻,该多个第一终止电阻连接于对应的该多个主线路,该第二终止电阻连接对应于该第一驱动接点。
4.根据权利要求1所述的加宽输入输出内存的硅穿孔测试装置,其特征在于,其中该多个第一数据接点与该多个第二数据接点为沟通于不同串联信道的相同数据脚位定义,其中该待测硅穿孔装置另包含多个第二通道,该多个第二通道依序地以多个第二菊炼结构串联成组而驱动分离于该多个第一信道的菊炼串联组合,该多个第一数据接点沟通于每一第一信道的对应数据脚位,该多个第二数据接点沟通于每一第二信道的对应数据脚位。
5.根据权利要求4所述的加宽输入输出内存的硅穿孔测试装置,其特征在于,其中该测试头另具有至少一第二驱动接脚,该信号传输板另具有至少一第二驱动线路,该插座板另具有至少一第二驱动接点,该第二驱动线路连接对应的该第二驱动接脚与对应的该第二驱动接点,该多个第二菊炼结构的串联启始点包含该第二驱动接点,并且该第一驱动接点沟通于每一第一信道的对应驱动脚位,该第二驱动接点沟通于每一第二信道的对应驱动脚位。
6.根据权利要求5项所述的加宽输入输出内存的硅穿孔测试装置,其特征在于,其中该插座板另具有多个第一终止电阻、多个第二终止电阻与多个第三终止电阻,该多个第一终止电阻连接于对应的该多个主线路,该多个第二终止电阻连接对应于该第一驱动接点,该多个第三终止电阻连接对应于该第二驱动接点。
7.根据权利要求1至6任一项所述的加宽输入输出内存的硅穿孔测试装置,其特征在于,其中该多个输入输出线路数量对应于连接同一通道的该多个第一数据接点,亦数量对应于连接同一通道的该多个第二数据接点。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造