[发明专利]传输门电路有效
| 申请号： | 201610240596.1 | 申请日： | 2016-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN107306128B | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 耿彦;陈捷 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;卜璐璐 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 传输 门电路 | ||
1.一种传输门电路，其特征在于，所述传输门电路包括第一PMOS晶体管和第二NMOS晶体管，所述第二NMOS晶体管为本征NMOS晶体管，其中，
所述第一PMOS晶体管的漏极和源极分别连接所述传输门电路的输入端和输出端，所述第一PMOS晶体管的栅极连接到第一信号引脚；
所述第二NMOS晶体管的漏极和源极分别连接所述传输门电路的输入端和输出端，所述第二NMOS晶体管的栅极连接到第二信号引脚；以及
所述第一信号引脚和所述第二信号引脚被施加相反的逻辑电平；
所述传输门电路的后续上拉电路包括第三PMOS晶体管，所述第三PMOS晶体管的栅极连接到所述第二信号引脚，所述第三PMOS晶体管的源极连接到电源，所述第三PMOS晶体管的漏极连接到所述传输门电路的输出端。
2.如权利要求1所述的传输门电路，其特征在于，所述第二NMOS晶体管是阈值电压为正数值的本征NMOS晶体管。
3.如权利要求1或2所述的传输门电路，其特征在于，所述第一PMOS晶体管的衬底连接到电源，所述第二NMOS晶体管的衬底连接到地。
4.一种传输门电路，其特征在于，所述传输门电路包括第一PMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第四PMOS晶体管和第五NMOS晶体管，所述第二NMOS晶体管为本征NMOS晶体管，其中，
所述第一PMOS晶体管的漏极和源极分别连接所述传输门电路的输入端和输出端，所述第一PMOS晶体管的栅极连接到第一信号引脚；
所述第二NMOS晶体管的漏极和源极分别连接所述传输门电路的输入端和输出端，所述第二NMOS晶体管的栅极连接到所述第四PMOS晶体管的漏极和所述第五NMOS晶体管的漏极；
所述第四PMOS晶体管的栅极连接到所述第一信号引脚，所述第四PMOS晶体管的源极连接到电源，所述第四PMOS晶体管的漏极连接到所述第二NMOS晶体管的栅极和所述第五NMOS晶体管的漏极；以及
所述第五NMOS晶体管的栅极连接到所述第一信号引脚，所述第五NMOS晶体管的源极连接到所述传输门电路的输入端，所述第五NMOS晶体管的漏极连接到所述第二NMOS晶体管的栅极和所述第四PMOS晶体管的漏极。
5.如权利要求4所述的传输门电路，其特征在于，所述第二NMOS晶体管是阈值电压为正数值的本征NMOS晶体管。
6.如权利要求4或5所述的传输门电路，其特征在于，所述第一PMOS晶体管的衬底和所述第四PMOS晶体管的衬底连接到电源，所述第二NMOS晶体管的衬底和所述第五NMOS晶体管的衬底连接到地。
7.一种传输门电路，其特征在于，所述传输门电路包括第一PMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第四PMOS晶体管、第五NMOS晶体管和第六PMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管和所述第二NMOS晶体管构成第一传输门，所述第五NMOS晶体管和第六PMOS晶体管构成第二传输门，所述第二NMOS晶体管为本征NMOS晶体管，其中，
所述第一PMOS晶体管的漏极和源极分别连接所述第一传输门的输入端和输出端，所述第一PMOS晶体管的栅极连接到第一信号引脚；
所述第二NMOS晶体管的漏极和源极分别连接所述第一传输门的输入端和输出端，所述第二NMOS晶体管的栅极连接到所述第四PMOS晶体管的漏极、所述第五NMOS晶体管的源极以及所述第六PMOS晶体管的源极；
所述第四PMOS晶体管的栅极连接到所述第一信号引脚，所述第四PMOS晶体管的源极连接到电源，所述第四PMOS晶体管的漏极连接到所述第二NMOS晶体管的栅极；
所述第五NMOS晶体管的栅极连接到所述第一信号引脚，所述第五NMOS晶体管的源极连接到所述第二NMOS晶体管的栅极，所述第五NMOS晶体管的漏极连接到所述第一传输门的输入端；
所述第六PMOS晶体管的栅极连接到第二信号引脚，所述第六PMOS晶体管的源极连接到所述第二NMOS晶体管的栅极，所述第六PMOS晶体管的漏极连接到所述第一传输门的输入端；以及
所述第一信号引脚和所述第二信号引脚被施加相反的逻辑电平。
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