[发明专利]靶系统和具有靶系统的用于产生中子和/或中微子的系统

说明书

本发明公开了一种靶系统和具有该靶系统的用于产生中子和/或中微子的系统，所述靶系统用于中子产生系统和中微子产生系统中的至少一个，所述靶系统包括：用作靶体的固体颗粒；以及第一通道部件，所述第一通道部件具有用于固体颗粒通过的相对于水平方向倾斜的第一通道，所述第一通道部件具有第一底壁，在第一底壁的两个侧边缘部分设置的两个第一侧壁，固体颗粒沿着第一底壁从第一通道的下端离开第一通道部件，用于束流与离开第一通道部件的固体颗粒相互作用。根据本发明的实施方式，例如可以优化利用颗粒流在两个倾斜通道间的射流，生产中子和/或中微子，并且有效减少强放射性污染问题。

技术领域

本发明的实施例涉及一种靶系统和具有该靶系统的用于产生中子和/或中微子的系统

背景技术：

散裂靶可以作为一种高效的中子源和中微子源应用于从基础研究到尖端应用的不同领域。如今世界上各项大科学工程对于高功率中子源的需求十分迫切，但受限于材料、散热等问题，利用传统的中子源技术在提高散裂靶功率上很难再有进一步的突破。在聚变堆材料辐照损伤研究中，目前国际上没有合适的中子源用于相关研究，传统的加速器氘氚中子源产生的中子通量有限，专用于聚变堆材料研究的中子源项目IFMIF(国际聚变堆材料辐照装置)虽然能够产生较高的中子通量和中子总产额，但其技术难度和投资都非常巨大，且研制周期漫长。此外，随着中微子的研究成为当今基础科学研究的热点问题，建立中微子工厂，产生大量的适合的中微子成为一个急需解决的问题。

发明内容

本发明的实施例的目的是提供一种靶系统和具有该靶系统的用于产生中子和/或中微子的系统，由此例如可以优化颗粒流的射流，以生产中子和/或中微子。

本发明的实施例提供了一种靶系统，所述靶系统用于中子产生系统和中微子产生系统中的至少一个，所述靶系统包括：用作靶体的固体颗粒；以及第一通道部件，所述第一通道部件具有用于固体颗粒通过的相对于水平方向倾斜的第一通道，所述第一通道部件具有第一底壁，在第一底壁的两个侧边缘部分设置的两个第一侧壁，固体颗粒沿着第一底壁从第一通道的下端离开第一通道部件，用于束流与离开第一通道部件的固体颗粒相互作用。

根据本发明的实施例，所述的靶系统还包括：第二通道部件，所述第二通道部件具有用于固体颗粒通过的相对于水平方向倾斜的第二通道，第二通道部件的上端位于第一通道部件的下端的下方，用于离开第一通道部件的固体颗粒落入第二通道部件的上端的朝上的开口中。

根据本发明的实施例，所述第二通道部件具有第二底壁，在第二底壁的两个侧边缘部分设置的两个第二侧壁。

根据本发明的实施例，第二通道部件还具有位于上端的侧壁，固体颗粒从第二通道部件的下端离开第二通道部件。

根据本发明的实施例，所述的靶系统还包括：收集部件，所述收集部件设置在第一通道部件的上游，用于收集固体颗粒，其中收集部件具有开口；以及用于开关该开口的闸门，其中在闸门开启时，收集在收集部件中的固体颗粒流入第一通道部件。

根据本发明的实施例，所述收集部件的限定所述开口的底壁和两个侧壁分别与所述第一通道部件的第一底壁和两个第一侧壁的上端邻接，所述收集部件的开口朝向第一通道部件的第一通道的上端的开口。

根据本发明的实施例，第一通道部件是槽部件。

根据本发明的实施例，第二通道部件是槽部件。

根据本发明的实施例，

本发明的实施例提供了一种用于产生中子和/或中微子的系统，该用于产生中子和/或中微子的系统包括：上述的靶系统。

根据本发明的实施例，所述的用于产生中子和/或中微子的系统还包括：束流发射件，所述束流发射件发射的束流与离开第一通道部件的固体颗粒作用，以产生中子和/或中微子。

根据本发明的实施例，例如可以优化颗粒流的射流，以生产中子和/或中微子。