[发明专利]药物合成装置在审
申请号: | 201610109944.1 | 申请日: | 2016-02-26 |
公开(公告)号: | CN107126907A | 公开(公告)日: | 2017-09-05 |
发明(设计)人: | 刘渊豪 | 申请(专利权)人: | 南京中硼联康医疗科技有限公司 |
主分类号: | B01J3/04 | 分类号: | B01J3/04;B01D46/00;G21F7/00 |
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地址: | 211112 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 药物 合成 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种药物合成装置,尤其是一种具有清洁功能的药物合成装置。
背景技术
药物合成过程中如果混入杂质将会严重影响药物质量而达不到药物质量标准,药物还包括放射性药物,在放射性药物合成过程中,放射性射线将会危害环境或操作人员的健康,为解决药物合成过程中被污染的问题和防止放射性药物的危害,目前常用的方法是在密闭的具有一定清洁度的环境中完成药物的合成过程。
一般情况下,提供该密闭环境的密闭装置具有放入原料或取出药物的开口部,在药物合成过程中外部的杂质会通过开口部和密闭装置的间隙进入该密闭环境中,从而会污染合成的药物;同样的,药物/放射性物质/杂质会通过开口部和密闭装置的间隙渗出该密闭环境,一方面会造成药物的损失,另一方面渗出的药物/放射性物质可能会危害环境或操作人员的健康,渗出的异物可能会影响环境的清洁度,目前尚未发现有针对提高药物合成清洁度并防止药物泄露至药物合成室以外的技术。
发明内容
本发明的目的在于提供一种药物合成装置,所述药物合成装置一方面通过抑制药物合成装置外部的杂质进入所述药物合成装置内从而有效提高合成药物的清洁度;另一方面有效抑制药物从药物合成装置扩散出去,不仅能够降低药物的损失,还可以防止扩散出去的药物/放射性物质对环境和操作人员造成危害。
为了实现上述目的,本发明提供了一种药物合成装置,所述药物合成装置包括正压室和负压室,其中正压室是由相互连接的壁构成的箱体,所述正压室的正面壁上设置有第一开口部,所述正压室的内部设置有用于合成和容纳药物的药物合成组件,所述正压室的内部具有高于大气压的第一气压;负压室位于正压室的外部,并且至少覆盖第一开口部,所述负压室内具有低于第一气压的第二气压,正压室内的气体通过压力差进入负压室。
其中,药物合成过程发生在所述正压室内,正压室具有高于大气压的第一气压,因此可以抑制所述药物合成装置外部的杂质进入正压室内,从而避免了杂质对药物的污染;所述负压室至少覆盖第一开口部,相对于外部环境中的杂质可以直接接触第一开口部与正面壁之间的缝隙而有可能直接进入正压室内,负压室一方面起到阻挡杂质的第一屏障的作用,另一方 面,可以通过控制负压室内的第二气压以增加第一气压和第二气压之间的压力差,以增加缝隙中存在的杂质进入负压室的压力,从而更进一步地避免了药物合成过程中受到污染。负压室除了可以仅覆盖第一开口部而阻止杂质从第一开口部与正面壁之间的缝隙进入正压室外,本领域技术人员熟知地,负压室被这样的设置:一方面能够避免将正压室内的杂质扩散到外部环境;另一方面避免将外部环境的杂质渗入到正压室。因此,负压室还可以作为一个连通的结构覆盖正压室其他有缝隙的地方,甚至可以根据实际应用的需要,负压室全包围整个正压室。
进一步地,所述正压室和负压室之间设置有一个邻接于所述正面壁的独立空间,正压室内的气体通过所述独立空间进入负压室内。
所述独立空间有继负压室作为第一屏障后更进一步地阻挡药物合成装置外部杂质进入所述正压室的第二屏障的作用,所述独立空间内的气压可以为第一气压,也可以为高于第二气压但低于第一气压的第三气压,由此可以抑制外界的杂质通过压力差进入正压室内,从而避免了药物合成过程中受到污染。所述独立空间靠近负压室并和所述正面壁平行的壁上设置第二开口部,所述第二开口部不仅可以用来向正压室放入原料或从正压室取出药物,也可以使正压室流入所述独立空间的气体根据独立空间和负压室的压力差通过第二开口部和与其邻接的壁之间的缝隙流入负压室。
更进一步地,所述药物合成装置中,所述正压室具有排气口,用于排出正压室内的气体,以避免正压室内压力过大而降低设备使用期限,需要说明的是,虽然正压室具有排气口,但是正压室内仍需要维持高于大气压的第一气压。
优选的是,所述药物合成装置中,所述正压室具有:
升压机构,用于增加正压室内部的压力;和
第一过滤器,用于净化升压机构注入正压室的气体。
其中升压机构具有使所述正压室维持高于大气压的第一气压的作用,为了避免药物合成过程中药物被由升压机构注入正压室的气体污染,在气体被注入正压室之前需要通过第一过滤器除去杂质达到一定的洁净级别后再注入正压室。
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