[发明专利]一种微纳PSS制备用软膜及其制造方法在审
申请号: | 201610103730.3 | 申请日: | 2016-02-26 |
公开(公告)号: | CN105742414A | 公开(公告)日: | 2016-07-06 |
发明(设计)人: | 张伟;孙智江 | 申请(专利权)人: | 海迪科(南通)光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/12 |
代理公司: | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人: | 滑春生 |
地址: | 226500 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 pss 制备 用软膜 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种微纳PSS制备用软膜,还涉及上述微纳PSS制备用软膜的制造方法。
背景技术
发光二极管(LED)是一种电光转换、高效节能、绿色环保、寿命长等优点,在交通指示、户内外全色显示、液晶电视背光源等方面有着广泛的应用,尤其是用LED可以实现半导体固态照明,其有望成为新一代光源进入千家万户,引起人类照明史上的革命,其中蓝宝石衬底生长氮化镓外延的蓝光LED芯片上涂敷黄光荧光粉,蓝光激发荧光粉发出黄光,蓝光与黄光混合得到白光,从而用蓝光LED得到白光。氮化镓衬底材料常见有二种,即蓝宝石和碳化硅,碳化硅机械加工性能差,价格昂贵以及专利方面的问题使其应用得到限制,因此当前用于氮化镓外延生长的衬底主要是蓝宝石,氮化镓外延层与蓝宝石的晶格失配度相当大,残余内应力较大,所以在蓝宝石上生长氮化镓容易造成大量的缺陷,而这些缺陷大大降低发光器件发光效率;同时GaN与空气间存在较大的折射率的差异,光出射角度较小,很大部分被全反射回到LED芯片内部,降低了光的提取效率,增加散热难度,影响LED器件的可靠性。采用纳米级PPS衬底技术可大大降低氮化物材料的位错的密度,缓和外延生长时产生的残余内应力,提高内量子效率,光提取效率大大改善。
在进行微纳PSS制备的过程中,在进行曝光处理时,需要将软膜与胶深度接触,而软膜一般采用树脂材质的,因此会导致胶对软膜造成污染,同时也降低了软膜的使用寿命,为了提高软膜的使用寿命,现研究出一种新的微纳PSS的制备方法,在进行曝光处理时,软膜只需与胶微接触即可实现被曝光区域未曝光区,因此针对该工艺的改进,需要研究一种新的软膜。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种微纳PSS制备用软膜,以及上述微纳PSS制备用软膜的制造方法。
为解决上述技术问题,本发明的技术方案为:一种微纳PSS制备用软膜制造方法,其创新点在于:包括下述步骤:
a)硬膜制备:首先,根据所需图形采用Si或SiC基板制备出硬膜;
b)软膜制备:根据制备的硬膜利用树脂注塑成型制备出软膜半成品;
c)镀金属膜:在软膜半成品上镀一层厚度在150nm以上的高反射率金属膜;
d)去金属膜:采用干法ICP刻蚀去除需曝光处的金属膜,从而形成所需的软膜。
进一步的,所述步骤c中,采用电子束蒸镀或磁控溅射法镀金属膜,镀膜速率为5A/S。
进一步的,所述步骤d中,干法ICP刻蚀的刻蚀速率10A/S。
一种利用上述微纳PSS制备用软膜制造方法制得的软膜,其创新点在于:包括一软膜主体,该软膜主体呈长方体状,在软膜主体的长轴方向的一侧设置有梳齿组;所述梳齿组由若干并列等距分布的梳齿共同构成,在相邻的两个梳齿所形成的凹槽的内壁上还设置有高反射金属层,且高反射金属层覆盖住相邻两个梳齿所形成的凹槽。
本发明的优点在于:本发明中的软膜,通过在相邻的梳齿所形成的凹槽的内壁增设高反射金属层,在进行曝光处理时,光在经过软膜时,部分光会被高反射金属层所阻挡,即可形成被曝光区域未曝光区,无需软膜与胶深入接触,提高了软膜的使用寿命。
通过将高反射金属层覆盖住相邻两个梳齿所形成的凹槽的设计,避免光在到达胶之间从梳齿的侧壁射出的情况,将光完全局限于图形内,有效的提高图形分辨率。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
图1-图4为本发明的软膜的制备流程图。
具体实施方式
下面的实施例可以使本专业的技术人员更全面地理解本发明,但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。
如图4所示的一种软膜,包括一软膜主体10、梳齿组及高反射金属层11。
该软膜主体10呈长方体状,在软膜主体10的长轴方向的一侧设置有梳齿组。
梳齿组由若干并列等距分布的梳齿共同构成,在相邻的两个梳齿所形成的凹槽的内壁上还设置有高反射金属层11,且高反射金属层11覆盖住相邻两个梳齿所形成的凹槽。
上述的软膜通过下述方法进行制备:
第一步,硬膜制备:首先,根据所需图形采用Si或SiC基板制备出硬膜,如图1所示。
第二步,软膜制备:根据制备的硬膜利用树脂注塑成型制备出软膜半成品,如图2所示。
第三步,镀金属膜:采用电子束蒸镀或磁控溅射法在软膜半成品上镀一层厚度在150nm以上的高反射率金属膜,镀膜速率为5A/S,如图3所示。
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