[发明专利]膜层及其制备方法、基板、显示装置

说明书

本发明涉及一种膜层的制备方法，通过设有光过渡区的掩膜板对所述膜层进行刻蚀，使所述膜层的边缘坡度角为30°‑50°。通过采用本发明所提供的膜层制备方法，减小了膜层边缘的坡度角，有效防止了由于膜层段差过大，导致后续工艺进行时PR胶残留导致的DDS不良。通过调节透光区域的面积，可以调节形成的膜层的边缘坡度角。另外，采用拐角为弧形以及拐角处设有狭缝的掩膜板，增大了拐角处的光强，消除了曝光死角，有效减小了拐角处的膜层的边缘坡度角，防止了PR胶残留导致的DDS不良，提高了显示装置的画面品质。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种膜层及其制备方法、基板、显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射、制造成本相对较低等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)阵列基板是TFT-LCD的重要部件之一。另外，薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)在诸如液晶显示器(LiquidCrystal Display,LCD)、有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示器、以及主动矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED)显示器之类的平面显示装置中用作开关元件。

随着人们对显示画面品质的要求越来越高，High PPI产品逐渐成为市场的主流产品，而PPI的提高增加了薄膜晶体管TFT的数量，相应的驱动负载会增加，同时由于寄生电容的影响，开口率也会相应的减小；而有机膜树脂材料具有低介电常数的优点，在TFT-LCD工艺中加入有机膜层可以降低产品功耗，提升开口率，也逐渐成为是目前面板生产的主流工艺。但是有机膜树脂材料成膜厚度比正常膜层厚，使得有机膜的段差较大，由于段差的影响使得在薄膜晶体管的制作过程中引起了一些不良的发生，如DDS等不良；而解决相关的不良就需要从工艺和设计方面进行优化。

传统的有机膜掩膜板3的设计，拐角1一般采用直角走线设计，并且在有机膜的边缘2也采用正常的布线形式，具体结构如图1所示。采用传统的掩膜板3制备的有机膜4的段差较大，形成的有机膜边缘的坡度角α大于60°，在拐角1处也容易形成曝光死角，接收的光能量不足，而导致后续工艺进行时光刻胶5(PR胶)残留，如图2所示；同时，采用传统的掩膜板3制备的有机膜的边缘走线处，由于有机膜4的段差较大，光罩工艺进行时容易引起光的干涉及衍射现象而使光强减弱，另外，在边缘处PR胶也略偏厚，这样就导致了后续工艺(1^stITO&2^ndITO)进行时有机膜4段差处PR胶5残留，进而到时再刻蚀工艺进行时无法将PR胶残留部分遮挡的金属层6去除，残留的金属将会导通下层相邻的信号线导致DDS等不良的发生，最终影响画面品质，如图3所示。

由上述可知，导致PR胶残留和不良发生的原因在于曝光后保留有机膜的坡度角偏大，使得后续工艺曝光不足，为了解决此问题，可以单纯从工艺方面改善，即增加曝光量来去除残留的PR胶，但是这样容易导致该工艺层的关键尺寸发生变化，后续不良的风险也会增加。故工艺上改善只能作为临时方案。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是如何通过改善掩膜板的结构，减小膜层边缘的坡度角。

为此目的，本发明提出了一种膜层的制备方法，其特征在于，通过设有光过渡区的掩膜板对所述膜层进行刻蚀，使所述膜层的边缘坡度角为30°-50°。

其中较优的，所述光过渡区设在所述掩膜板的边缘；

所述光过渡区包括均匀排列的多个透光区域和多个遮光区域，所述透光区域和所述遮光区域间隔排列；

靠近所述掩膜板的边缘一侧的所述透光区域的面积大于远离所述掩膜板的边缘一侧的所述遮光区域的面积；