[发明专利]膜层及其制备方法、基板、显示装置有效
申请号: | 201610005364.8 | 申请日: | 2016-01-05 |
公开(公告)号: | CN105511221B | 公开(公告)日: | 2019-11-19 |
发明(设计)人: | 史高飞;沈奇雨;赵娜;王一军;许徐飞 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/68 | 分类号: | G03F1/68 |
代理公司: | 11348 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 王伟锋;刘铁生<国际申请>=<国际公布> |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 及其 制备 方法 基板 显示装置 | ||
1.一种膜层的制备方法,其特征在于,通过设有光过渡区的掩膜板对所述膜层进行刻蚀,使所述膜层的边缘坡度角为30°-50°;
所述光过渡区设在所述掩膜板的边缘;
所述光过渡区包括均匀排列的多个透光区域和多个遮光区域,所述透光区域和所述遮光区域间隔排列;
靠近所述掩膜板的边缘一侧的所述透光区域的面积大于远离所述掩膜板的边缘一侧的所述遮光区域的面积;
靠近所述掩膜板的边缘一侧的所述遮光区域的面积小于远离所述掩膜板的边缘一侧的所述透光区域的面积;
所述掩膜板的拐角为弧形,所述掩膜板的拐角处设有若干条平行排列的狭缝。
2.根据权利要求1所述的膜层的制备方法,其特征在于,所述透光区域为使遮光区域形成三角形突起的三角形缺口。
3.根据权利要求1所述的膜层的制备方法,其特征在于,所述透光区域为设置在所述光过渡区的波浪形缺口。
4.根据权利要求1所述的膜层的制备方法,其特征在于,所述透光区域为设置在所述光过渡区的通孔。
5.根据权利要求4所述的膜层的制备方法,其特征在于,所述通孔为半圆形、圆形或矩形。
6.根据权利要求1所述的膜层的制备方法,其特征在于,所述透光区域为与所述掩膜板的边缘平行的缝隙。
7.根据权利要求1-6任意一项所述的膜层的制备方法,其特征在于,所述透光区域之间的距离小于曝光机解析度。
8.一种膜层,采用权利要求1-7任意一项所述的制备方法制备而成,其特征在于,所述膜层的边缘坡度角为30°-50°。
9.一种基板,其特征在于,包括权利要求8所述的膜层。
10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求9所述的基板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610005364.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备